IRF530PBF 是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Vishay公司生产。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器等需要高效开关和低功耗的电路中。其封装形式为TO-220,适合表面贴装应用,具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻。
最大漏源电压:100V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:2.7A
脉冲漏极电流:9A
导通电阻(Rds(on)):0.16Ω(在Vgs=10V时)
栅极电荷:48nC
总电容:420pF
开关时间:ton=35ns,toff=75ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
IRF530PBF具有以下主要特性:
1. 高效率:由于其较低的导通电阻,在高电流应用中可以减少功率损耗。
2. 快速开关能力:较短的开关时间和低栅极电荷使其非常适合高频开关应用。
3. 良好的热稳定性:能够承受高温环境,适合工业和汽车应用。
4. 优异的雪崩能力:在过载或短路情况下提供额外保护。
5. 封装坚固耐用:采用TO-220封装,散热性能好且易于安装。
6. 符合RoHS标准:环保无铅设计,适用于现代电子设备的需求。
IRF530PBF主要应用于以下领域:
1. 开关电源和稳压器:
在这些电路中,IRF530PBF作为主开关元件,用于控制输出电压和电流。
2. DC-DC转换器:
用于升降压电路中,实现高效的电压转换。
3. 电机驱动和控制:
在各种类型的电机驱动器中,该器件可以用作功率级开关。
4. 逆变器:
在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,IRF530PBF可作为功率开关使用。
5. 继电器替代:
在需要快速切换的应用场景中,用MOSFET替代传统继电器以提高可靠性。
6. 过流保护电路:
利用其低导通电阻特性,设计高效能的过流保护方案。
IRF530N, STP55NF06L, FDP158N10Z