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IRF530PBF 发布时间 时间:2025/5/24 10:26:50 查看 阅读:8

IRF530PBF 是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Vishay公司生产。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器等需要高效开关和低功耗的电路中。其封装形式为TO-220,适合表面贴装应用,具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:2.7A
  脉冲漏极电流:9A
  导通电阻(Rds(on)):0.16Ω(在Vgs=10V时)
  栅极电荷:48nC
  总电容:420pF
  开关时间:ton=35ns,toff=75ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

IRF530PBF具有以下主要特性:
  1. 高效率:由于其较低的导通电阻,在高电流应用中可以减少功率损耗。
  2. 快速开关能力:较短的开关时间和低栅极电荷使其非常适合高频开关应用。
  3. 良好的热稳定性:能够承受高温环境,适合工业和汽车应用。
  4. 优异的雪崩能力:在过载或短路情况下提供额外保护。
  5. 封装坚固耐用:采用TO-220封装,散热性能好且易于安装。
  6. 符合RoHS标准:环保无铅设计,适用于现代电子设备的需求。

应用

IRF530PBF主要应用于以下领域:
  1. 开关电源和稳压器:
   在这些电路中,IRF530PBF作为主开关元件,用于控制输出电压和电流。
  2. DC-DC转换器:
   用于升降压电路中,实现高效的电压转换。
  3. 电机驱动和控制:
   在各种类型的电机驱动器中,该器件可以用作功率级开关。
  4. 逆变器:
   在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,IRF530PBF可作为功率开关使用。
  5. 继电器替代:
   在需要快速切换的应用场景中,用MOSFET替代传统继电器以提高可靠性。
  6. 过流保护电路:
   利用其低导通电阻特性,设计高效能的过流保护方案。

替代型号

IRF530N, STP55NF06L, FDP158N10Z

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IRF530PBF参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 8.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds670pF @ 25V
  • 功率 - 最大88W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF530PBF