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AONS66408 发布时间 时间:2025/5/21 10:01:21 查看 阅读:2

AONS66408是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换和负载切换应用。其工作电压范围为20V至100V,典型应用场景包括DC-DC转换器、负载开关、同步整流以及电机驱动等。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:34A
  导通电阻:9.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  总电容:750pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

AONS66408的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功率损耗。
  2. 高效率设计,适合高频开关应用。
  3. 具有优异的热稳定性和可靠性,支持高达175℃的工作温度。
  4. 快速开关性能,减少开关损耗。
  5. 采用TOLL封装,提供出色的散热性能和电气隔离能力。
  6. 符合RoHS标准,环保且兼容无铅焊接工艺。

应用

AONS66408适用于广泛的工业和消费类电子领域,具体应用包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. DC-DC转换器的核心元件,如降压或升压电路。
  3. 各种负载开关设计,用于保护电路免受过流影响。
  4. 同步整流解决方案,提高效率。
  5. 电机驱动器中的功率级控制。
  6. 电池管理系统(BMS)中的充放电路径控制。

替代型号

AON66408, IRF66408

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AONS66408参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥3.50404卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)33A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.1 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)51 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2808 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),48W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线