类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：600 V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±30 V
　　最大漏极电流 (Id)：20 A
　　导通电阻 (Rds(on))：0.25 Ω
　　最大工作温度：150 °C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散 (Ptot)：40 W

SKN20/06 的主要特性之一是其较低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下导通损耗显著降低，从而提高整体效率。此外，该器件的最大漏源电压高达 600V，适用于多种高压应用场景。其 TO-220 封装设计不仅提供了良好的热管理性能，还便于安装和散热。
　　该 MOSFET 具有良好的热稳定性和高可靠性，适用于长期连续工作的工业环境。栅极驱动电压范围较宽，通常可在 10V 至 15V 之间正常工作，使得其与多种驱动电路兼容。此外，SKN20/06 还具备较快的开关速度，有助于减少开关损耗，在高频应用中表现优异。
　　在短路和过载情况下，SKN20/06 具有一定的耐受能力，但需配合适当的保护电路以确保器件的长期稳定运行。该器件的雪崩能量耐受能力也较强，能够在一定程度上防止因电压尖峰导致的损坏。

SKN20/06 广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器和照明控制系统等。由于其高压和高电流处理能力，它特别适合用于需要高效率和高可靠性的工业控制和电源管理领域。
　　在开关电源中，SKN20/06 可用于主开关器件，实现高效的能量转换。在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于同步整流或升压/降压拓扑结构，提高系统效率。在电机驱动应用中，SKN20/06 可用于 H 桥结构以控制直流电机的正反转，或用于无刷电机控制器的功率级部分。
　　此外，该器件还可用于 UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器和 LED 驱动电源等新兴应用领域，满足对高可靠性和高效率的严格要求。

STP20N60M5, FQA20N60, 2SK2545