IRF513PBF 时间：2025/7/3 17:16:01 阅读：6

IRF513PBF是一款由Vishay公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等功率电子领域。其高效率和低导通电阻的特点使其非常适合要求高性能和低功耗的应用场景。
　　IRF513PBF属于增强型MOSFET，通过栅极电压控制漏极电流的开关特性，具有快速开关速度和优秀的热稳定性，能够在高频应用中提供稳定的性能。

参数

最大漏源电压：100V
　　最大栅源电压：±20V
　　最大连续漏极电流：16A
　　最大脉冲漏极电流：78A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω
　　总栅极电荷：19nC
　　输入电容：1450pF
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

IRF513PBF的主要特性包括：
　　1. 高耐压能力，最大漏源电压达到100V，适合多种高压应用场景。
　　2. 低导通电阻，仅为0.18Ω，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
　　3. 快速开关速度，得益于其较小的总栅极电荷（19nC），能够适应高频开关需求。
　　4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定性能。
　　5. 大电流承载能力，最大连续漏极电流为16A，满足高功率应用需求。
　　6. 宽工作温度范围，从-55℃到+150℃，适用于恶劣环境下的应用。
　　7. TO-220封装易于散热设计，适合表面贴装和插件安装方式。

应用

IRF513PBF适用于以下典型应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流和开关元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率输出级。
　　4. 照明系统的电子镇流器和LED驱动器。
　　5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
　　7. 电池管理系统中的充放电控制开关。