IRF1503PBF 时间：2025/8/28 17:33:33 阅读：23

IRF1503PBF是一款由Infineon Technologies生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频率的应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于电源转换器、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备等领域。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：140A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大2.7mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：TO-220AB
　　引脚数：3
　　技术：MOSFET
　　极性：N沟道

特性

IRF1503PBF具有多项优异的电气和热性能特性，使其成为高功率和高效率应用的理想选择。
　　首先，该MOSFET具有极低的导通电阻（Rds(on)），典型值为2.7mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这种低导通电阻特性在高电流应用中尤为重要，因为它能够减少功率损耗并降低器件温度。
　　其次，该器件具有高达30V的漏源电压（Vds）额定值，适合用于各种中高功率系统中，例如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。此外，IRF1503PBF支持高达140A的连续漏极电流（Id），使其适用于高电流需求的应用场景，如电机驱动和电源管理系统。
　　该MOSFET采用了先进的封装技术，TO-220AB封装提供了良好的热管理和机械稳定性，能够在高功率条件下保持较低的结温，从而延长器件寿命并提高可靠性。
　　此外，IRF1503PBF具有快速开关特性，具有较低的开关损耗，适合高频操作。其栅极电荷（Qg）较低，使得驱动电路的功耗减少，从而进一步提升整体系统效率。
　　该器件的工作温度范围为-55℃至175℃，具备良好的温度稳定性和抗热冲击能力，适合在各种恶劣环境下使用。

应用

IRF1503PBF因其优异的性能广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，以提高效率并减少发热。在工业自动化中，该MOSFET可用于电机控制和变频器，实现高精度的调速和节能效果。此外，它也被广泛用于电池管理系统（BMS）中，用于充放电控制和保护电路。在汽车电子领域，IRF1503PBF可用于车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。其他应用还包括不间断电源（UPS）、光伏逆变器、工业电机驱动和高功率LED照明驱动电路。