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IRF1503PBF 发布时间 时间:2025/8/28 17:33:33 查看 阅读:13

IRF1503PBF是一款由Infineon Technologies生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率和高频率的应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性,适用于电源转换器、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备等领域。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):140A(Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):最大2.7mΩ(在Vgs=10V时)
  功耗(Pd):250W
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装类型:TO-220AB
  引脚数:3
  技术:MOSFET
  极性:N沟道

特性

IRF1503PBF具有多项优异的电气和热性能特性,使其成为高功率和高效率应用的理想选择。
  首先,该MOSFET具有极低的导通电阻(Rds(on)),典型值为2.7mΩ,这显著降低了导通损耗,提高了系统效率。这种低导通电阻特性在高电流应用中尤为重要,因为它能够减少功率损耗并降低器件温度。
  其次,该器件具有高达30V的漏源电压(Vds)额定值,适合用于各种中高功率系统中,例如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。此外,IRF1503PBF支持高达140A的连续漏极电流(Id),使其适用于高电流需求的应用场景,如电机驱动和电源管理系统。
  该MOSFET采用了先进的封装技术,TO-220AB封装提供了良好的热管理和机械稳定性,能够在高功率条件下保持较低的结温,从而延长器件寿命并提高可靠性。
  此外,IRF1503PBF具有快速开关特性,具有较低的开关损耗,适合高频操作。其栅极电荷(Qg)较低,使得驱动电路的功耗减少,从而进一步提升整体系统效率。
  该器件的工作温度范围为-55℃至175℃,具备良好的温度稳定性和抗热冲击能力,适合在各种恶劣环境下使用。

应用

IRF1503PBF因其优异的性能广泛应用于多个领域。在电源管理方面,它常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,以提高效率并减少发热。在工业自动化中,该MOSFET可用于电机控制和变频器,实现高精度的调速和节能效果。此外,它也被广泛用于电池管理系统(BMS)中,用于充放电控制和保护电路。在汽车电子领域,IRF1503PBF可用于车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。其他应用还包括不间断电源(UPS)、光伏逆变器、工业电机驱动和高功率LED照明驱动电路。

替代型号

SiR150DP, IRF1503, IRF1405, IRF1407, IRF1403

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IRF1503PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.3 毫欧 @ 140A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5730pF @ 25V
  • 功率 - 最大330W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF1503PBF