时间：2025/5/23 3:28:00
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IRF100B201是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关和功率转换应用而设计。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性。其主要用途包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等领域。
IRF100B201属于N沟道增强型MOSFET，能够提供高效的功率传输和良好的耐热性能，同时支持大电流和高压操作。
最大漏源电压：200V
最大连续漏极电流：10A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=36ns, toff=18ns
工作结温范围：-55°C至+175°C
1. 低导通电阻确保了较低的传导损耗，从而提高了整体效率。
2. 高速开关性能使其适用于高频电路设计。
3. 较宽的工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行。
4. 良好的热稳定性和耐用性延长了器件的使用寿命。
5. 具备较强的抗雪崩能力，增强了在异常条件下的可靠性。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 逆变器模块
5. 脉冲宽度调制（PWM）控制器
6. 工业自动化设备中的功率管理单元
IRFZ44N, IRF540N
