FGY75T95LQDT是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用先进的制造工艺设计,适用于多种高频和高效率的应用场景。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。其封装形式为TO-263,能够有效降低热阻并提升散热性能。
最大漏源电压:95V
连续漏极电流:75A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:105nC
总电容:1200pF
工作温度范围:-55℃至175℃
FGY75T95LQDT具备非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在高电流应用中能显著减少传导损耗。
同时,其快速开关能力确保了在高频条件下也能保持高效运行,减少了开关损耗。
此外,器件内置ESD保护电路以提高可靠性,并且采用了优化的热设计来增强散热性能。
该器件还支持较宽的工作温度范围,使其能够在恶劣环境中稳定运行。
FGY75T95LQDT主要应用于各种高功率场景,例如工业电机控制、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电动车驱动系统。
此外,它也适合于需要高效能量转换的DC-DC转换器和AC-DC开关电源设计。
由于其出色的热性能和电气性能,该器件还可用于高温环境下的功率调节模块。
FGY80T100LQDT, IRF740, STP75NF06