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CBR02C209C9GAC 发布时间 时间:2025/7/9 13:56:12 查看 阅读:14

CBR02C209C9GAC 是一款陶瓷电容器,属于 CBR 系列。该电容器采用多层陶瓷技术制造,具有高稳定性和低等效串联电阻(ESR)特性。它适用于高频滤波、去耦和信号耦合等多种应用场景。这种型号的电容器通常用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域。

参数

容量:0.022μF
  额定电压:50V
  容差:±10%
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  封装类型:0805
  介质材料:C0G(NP0)

特性

CBR02C209C9GAC 的主要特性包括以下几点:
  1. 高稳定性:由于采用了 C0G(NP0)介质材料,其电容量在温度、时间及电压变化下保持高度稳定。
  2. 低 ESR 和 ESL:这款电容器具备较低的等效串联电阻和等效串联电感,适合高频应用环境。
  3. 小型化设计:使用标准 0805 封装,能够在有限的空间内提供可靠的性能。
  4. 宽工作温度范围:支持从 -55℃ 到 +125℃ 的宽温操作,适应各种恶劣环境。
  5. 高可靠性:经过严格的质量测试,确保在长期使用中的稳定表现。

应用

CBR02C209C9GAC 主要应用于以下场景:
  1. 滤波电路:用于电源或信号线路中进行高频噪声抑制。
  2. 去耦电容:为集成电路提供稳定的电源输入,减少电源波动对电路的影响。
  3. 耦合与旁路:在音频和射频电路中用作信号耦合或交流旁路。
  4. 工业自动化设备:如 PLC、传感器模块等需要高稳定性的场合。
  5. 消费类电子:例如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的高频电路部分。

替代型号

CBR02C209C9GAC, GRM188R71H222KA01D, Kemet C0805C222K4RACTU

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CBR02C209C9GAC参数

  • 数据列表CBR02C209C9GAC
  • 标准包装15,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容2.0pF
  • 电压 - 额定6.3V
  • 容差±0.25pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"(0.33mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-