CBR02C209C9GAC 是一款陶瓷电容器,属于 CBR 系列。该电容器采用多层陶瓷技术制造,具有高稳定性和低等效串联电阻(ESR)特性。它适用于高频滤波、去耦和信号耦合等多种应用场景。这种型号的电容器通常用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域。
容量:0.022μF
额定电压:50V
容差:±10%
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:0805
介质材料:C0G(NP0)
CBR02C209C9GAC 的主要特性包括以下几点:
1. 高稳定性:由于采用了 C0G(NP0)介质材料,其电容量在温度、时间及电压变化下保持高度稳定。
2. 低 ESR 和 ESL:这款电容器具备较低的等效串联电阻和等效串联电感,适合高频应用环境。
3. 小型化设计:使用标准 0805 封装,能够在有限的空间内提供可靠的性能。
4. 宽工作温度范围:支持从 -55℃ 到 +125℃ 的宽温操作,适应各种恶劣环境。
5. 高可靠性:经过严格的质量测试,确保在长期使用中的稳定表现。
CBR02C209C9GAC 主要应用于以下场景:
1. 滤波电路:用于电源或信号线路中进行高频噪声抑制。
2. 去耦电容:为集成电路提供稳定的电源输入,减少电源波动对电路的影响。
3. 耦合与旁路:在音频和射频电路中用作信号耦合或交流旁路。
4. 工业自动化设备:如 PLC、传感器模块等需要高稳定性的场合。
5. 消费类电子:例如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的高频电路部分。
CBR02C209C9GAC, GRM188R71H222KA01D, Kemet C0805C222K4RACTU