IR9494NI 时间：2025/8/27 22:02:18 阅读：3

IR9494NI是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的双通道高侧/低侧栅极驱动器集成电路，主要用于驱动功率MOSFET和IGBT器件。该芯片采用高压工艺制造，具备高耐压能力，适用于电机控制、DC-DC转换器、逆变器和电源管理系统等多种功率电子应用。IR9494NI支持宽范围的电源电压，具有较强的抗噪能力和可靠性。

参数

供电电压（VCC）：10V 至 20V
　　输出驱动电压范围：高端输出可达600V以上，低端输出为GND至VCC
　　输出电流能力：高端最大拉电流约0.25A，灌电流约0.5A；低端最大拉电流约0.5A，灌电流约0.5A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：14引脚 SOIC
　　高压侧浮动电压：最高可达600V
　　驱动器类型：半桥双通道驱动
　　输入逻辑兼容：CMOS/TTL

特性

IR9494NI采用了高侧浮动电源技术，使其能够适应高电压环境下的应用，如半桥或全桥功率拓扑。其高端驱动器通过一个浮动电压源供电，能够承受高达600V的电压，从而确保在高侧开关工作时的稳定性和可靠性。
　　该芯片内部集成了死区时间控制逻辑，防止上下桥臂同时导通造成的直通短路。同时具备欠压保护（UVLO）功能，在电源电压不足时自动关闭输出，保护功率器件。
　　IR9494NI具有良好的抗干扰性能，能够适应复杂的电磁环境，适用于工业级应用。其输出驱动能力强，响应速度快，适用于高频开关应用，提高了功率转换效率。
　　此外，IR9494NI采用14引脚SOIC封装，便于PCB布局，并具有良好的热稳定性。该芯片还具备低静态电流和低功耗特性，适用于节能型电源系统设计。