时间：2025/8/29 15:26:49
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IR908-7C-F(E5)是一款由Infineon Technologies（英飞凌）制造的功率MOSFET晶体管，广泛用于各种电力电子应用。该器件基于先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有出色的导通和开关性能，适用于高效率的电源转换器、电机驱动和工业控制系统。
型号：IR908-7C-F(E5)
类型：功率MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
漏极电流（ID）：180A
导通电阻（RDS(on)）：4.7mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：115nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
安装类型：通孔
IR908-7C-F(E5)采用了英飞凌的先进沟槽技术，提供极低的导通电阻，从而减少导通损耗并提高系统效率。该器件的高电流能力使其适合在高功率密度应用中使用，例如DC-DC转换器和电动车辆的功率控制系统。
此外，该MOSFET具备优异的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。其封装设计有助于有效的散热管理，确保长期运行的稳定性。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，使其在严苛的工业和汽车环境中表现出色。栅极驱动电压范围宽，支持10V至20V之间的驱动电压，提供灵活的设计选择。
同时，该MOSFET的开关特性优化，降低了开关损耗，有助于提高整体能效。这使其成为高频开关应用的理想选择。
IR908-7C-F(E5)常用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：
1. 电源管理系统
2. 电动车辆（EV）和混合动力汽车（HEV）的功率控制模块
3. 电机驱动器和逆变器
4. 服务器和通信设备的电源供应
5. 工业自动化和控制系统
6. 太阳能逆变器和储能系统
IRFP4110PBF, SiR872DP, FDS4410A
