NCP367DPMUEBTBG 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的低压差线性稳压器(LDO),具有高精度、低功耗和良好的瞬态响应等特点。该芯片通常用于对电源噪声敏感的系统中,为微控制器、RF 模块和其他低功耗设备提供稳定的电压输出。
这款 LDO 支持较宽的输入电压范围,并能够提供稳定的输出电压,同时具备出色的负载和线路调节能力。其封装形式为 DFN 封装,适合小型化设计需求。
输入电压范围:1.1V 至 5.5V
输出电压范围:0.8V 至 3.3V(固定或可调)
最大输出电流:300mA
接地电流:2μA(典型值)
dropout 电压:200mV(在 300mA 输出时)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装类型:DFN-6 (2mm x 2mm)
PSRR(电源抑制比):60dB@1kHz
静态功耗:极低
NCP367DPMUEBTBG 具有以下主要特性:
1. 极低的静态电流,非常适合电池供电设备。
2. 高 PSRR 性能,可以有效抑制电源噪声,适用于射频和音频应用。
3. 快速瞬态响应,能够应对负载电流快速变化的情况。
4. 内置过流保护和过温保护功能,提高了系统的可靠性。
5. 提供多种固定输出电压选项以及可调版本,灵活性强。
6. 较小的 DFN 封装节省了 PCB 空间,适合便携式设备使用。
7. 支持较宽的工作温度范围,能够在恶劣环境下稳定运行。
NCP367DPMUEBTBG 广泛应用于各种需要高效、低功耗电源管理的场景,例如:
1. 消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
2. 工业控制设备中的传感器模块和数据采集系统。
3. 无线通信模块,包括蓝牙、Wi-Fi 和 Zigbee 等低功耗射频电路。
4. 医疗电子设备,例如便携式健康监测仪器。
5. 物联网(IoT)终端节点,要求长续航时间的应用。
6. 微控制器和 DSP 的供电系统。
NCP367DPMT1G, NCP367DPMUBTG, NCP367DPMUCBB