RTR025N05FRA 是一款基于硅材料的 N 沘 道场效应晶体管(NMOS),适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特性。
其封装形式通常为 TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT),能够满足工业控制、通信设备以及消费类电子产品中的各种需求。
最大漏源电压:50V
连续漏极电流:17A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:29nC
开关时间:ton=11ns, toff=18ns
工作温度范围:-55℃~175℃
封装形式:TO-263
RTR025N05FRA 具有出色的性能表现,主要体现在以下几个方面:
1. 极低的导通电阻(2.5mΩ),在大电流应用中可以显著降低功耗。
2. 快速的开关速度,使得该器件非常适合高频开关电源和脉宽调制(PWM)逆变器等应用。
3. 较高的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),增强了其在极端环境下的可靠性。
4. 小型化封装设计(TO-263),便于实现紧凑型电路布局。
5. 稳定性好,在长时间使用过程中仍能保持良好的电气性能。
RTR025N05FRA 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器,用于高效能量转换。
2. 电机驱动器,特别是在无刷直流电机(BLDC)控制器中提供高效的功率输出。
3. 电池管理系统(BMS),用于保护电池组免受过充、过放和其他异常情况的影响。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)、制动系统和空调压缩机驱动等。
6. LED 驱动器和固态照明系统,提供精确的电流调节。
RTR026N05FTA, RTR028N05FRA