类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　连续漏极电流(Id)：6.3A（单个通道）
　　导通电阻(Rds(on))：32mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电荷(Qg)：12nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TSOP
　　功率耗散(Pd)：3.2W
　　栅源电压(Vgs)：±20V

IR9022N1-T1采用Infineon的沟槽MOSFET技术，实现了极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了能效。其双N沟道结构允许在多个应用中并联使用，以提高电流处理能力。该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（通常为4.5V至10V），因此可以与常见的PWM控制器或微控制器直接接口，无需额外的栅极驱动器。
　　此外，IR9022N1-T1具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下稳定工作。其TSOP封装提供了良好的散热性能，并节省了PCB空间，适合高密度电源设计。该MOSFET还具备较低的开关损耗，使其适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器和负载开关控制。
　　该器件还具有良好的抗雪崩能力和过载保护功能，能够在瞬态条件下保持稳定运行，减少系统故障的风险。这些特性使其成为工业自动化、通信设备、消费类电子产品和汽车电子系统中的理想选择。

IR9022N1-T1适用于多种高效率电源管理系统，包括但不限于同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及各类功率控制模块。由于其低导通电阻和高开关速度，该MOSFET特别适合用于需要高能效和紧凑设计的便携式设备和高功率密度系统。此外，它也常用于服务器电源、网络设备和工业自动化控制系统。

Si9401BDY-T1-E3, TPS2R200EVM-827, FDS6675CZ