时间：2025/8/6 2:00:32
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IXGP70N33TBM 是一款由 Littelfuse（原 IXYS）生产的高电压、大电流功率MOSFET器件，采用TO-247封装形式，适用于高功率开关电源、逆变器以及电机控制等应用。该器件具备良好的热性能和导通特性，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：330V
最大漏极电流（ID）：70A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为27mΩ
栅极电压（VGS）：±20V
最大功率耗散（PD）：180W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
IXGP70N33TBM 的核心特性包括低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，确保了在高电流下的稳定性和低开关损耗。
此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压条件下提供一定程度的自我保护，提高系统的可靠性。
其TO-247封装具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。此外，该器件还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并减少开关损耗，适用于高频开关应用。
IXGP70N33TBM 的栅极设计支持广泛的标准驱动电压（通常为10V至15V），兼容常见的MOSFET驱动器IC，便于在各种功率转换拓扑中使用。
IXGP70N33TBM 主要应用于高功率开关电源（如服务器电源、工业电源）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动器以及太阳能逆变器等电力电子设备中。
由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适用于需要高效能、高可靠性的功率转换系统。
在电机控制和逆变器设计中，IXGP70N33TBM 可以用于实现高效的PWM控制，并有效减少热量产生。
此外，该器件也可用于电池管理系统、电焊机、高频感应加热等高功率应用场景。
IXFN70N33T
STP70N3LLH6
IRFP4668
SiHPx70N33EF
