类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：6.4A
　　导通电阻(Rds(on))：22mΩ
　　功率耗散(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSOP

IR3Y30M1TR的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），该参数有助于减少导通损耗，提高系统效率。其22mΩ的Rds(on)在30V的漏源电压下保持稳定，使得该器件能够在高电流条件下工作而不会产生过多的热量。
　　此外，该MOSFET具备优异的热性能，采用TSOP封装，有助于快速散热，确保在高负载条件下的可靠性。其2.5W的功率耗散能力也使得IR3Y30M1TR适用于紧凑型设计，适用于空间受限的电路板布局。
　　IR3Y30M1TR的栅极驱动特性优化，能够在较宽的栅源电压范围内稳定工作，支持±20V的Vgs，提高了器件的抗干扰能力和使用寿命。此外，该器件的开关速度较快，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器中，有助于减少开关损耗并提高整体系统性能。
　　该MOSFET的结构设计也增强了其耐用性和稳定性，在极端温度条件下仍能保持良好性能，工作温度范围从-55°C到150°C，适合工业级应用环境。

IR3Y30M1TR广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及便携式电子设备中的高效能电源控制电路。
　　在DC-DC转换器中，该器件能够提供高效的电压转换，支持高频率开关操作，从而减少外围元件的尺寸并提高转换效率。在电池管理系统中，IR3Y30M1TR常用于实现充放电控制和负载隔离，确保系统的安全性和稳定性。
　　此外，由于其紧凑的TSOP封装和良好的热性能，该MOSFET也适用于空间受限的便携式设备，如笔记本电脑、平板电脑、智能手表和移动电源等。在这些应用中，IR3Y30M1TR不仅能够提供稳定的功率控制，还能有效延长电池寿命。
　　在工业自动化和通信设备中，IR3Y30M1TR可用于实现高效能的电源管理和负载切换，支持高可靠性的运行环境。

Si2302DS, FDS6680, IRF7409, BSS138K