APM2055NUC-TR 时间：2025/9/3 23:54:00 阅读：7

APM2055NUC-TR是一款由Advanced Power Technology（简称APowerT）公司生产的高性能功率MOSFET器件，主要面向高效能电源管理及功率转换应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于多种电源拓扑结构，如降压、升压以及同步整流等。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：5.5A
　　最大漏源电压：30V
　　导通电阻(Rds(on))：80mΩ（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：13nC
　　封装形式：DFN5x6
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

APM2055NUC-TR具有多个关键特性，使其在功率电子设计中表现出色。首先，其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提升整体系统效率。其次，该器件的高耐压能力（最大30V）使其适用于中高功率的DC-DC转换器及负载开关应用。
　　此外，APM2055NUC-TR采用了先进的DFN5x6封装技术，该封装不仅体积小巧，适合高密度PCB布局，而且具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持较低的工作温度。其较低的栅极电荷(Qg)也意味着在高频开关应用中可以实现更快的开关速度，从而进一步提升效率。
　　在可靠性方面，APM2055NUC-TR具有宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），适应严苛的工业环境，并且内置的ESD保护功能可有效防止静电放电造成的损害，提高器件的长期稳定性。

应用

APM2055NUC-TR广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、负载开关控制、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的导通特性和紧凑的封装设计，该器件特别适合需要高效率和小尺寸设计的便携式电子产品和嵌入式系统电源管理方案。