IR3Y29AM 时间：2025/8/28 7:37:41 阅读：3

IR3Y29AM 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高频率开关应用，具备优异的导通和开关性能，适用于电源转换、电机控制、DC-DC 转换器以及负载开关等多种电力电子系统。IR3Y29AM 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通电阻（Rds(on)）和开关损耗之间的平衡，从而提高整体效率。该器件通常采用表面贴装封装（例如 TSOP 或 DFN），便于在高密度 PCB 设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：1.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：150mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSOP/DFN

特性

IR3Y29AM 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其 30V 的漏源电压额定值使其适用于中低功率应用，例如电池供电设备、DC-DC 转换器和 LED 驱动电路。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在较高环境温度下稳定工作。
　　另一个显著特点是其栅极驱动电压范围宽，支持 ±20V 的栅源电压，这使得它能够与多种驱动电路兼容，包括高压逻辑电平和专用栅极驱动 IC。同时，该器件具有较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），有助于减少高频开关过程中的驱动损耗和振荡问题。
　　IR3Y29AM 采用先进的封装技术，提供良好的散热性能，适用于高密度和空间受限的设计。其表面贴装封装（如 DFN 或 TSOP）也简化了 PCB 布局和装配工艺，提高了生产效率和可靠性。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力，在异常工况下仍能保持稳定运行，提高了系统的鲁棒性。同时，IR3Y29AM 在制造过程中遵循 AEC-Q101 汽车级认证标准，适用于汽车电子等高要求的应用场景。

应用

IR3Y29AM 广泛应用于多种电力电子系统中，特别是在需要高效能、小尺寸封装和高频开关的场合。其主要应用包括：DC-DC 转换器，用于调节和转换不同电压电平，适用于便携式电子设备和嵌入式系统；电池管理系统（BMS），用于控制充放电路径，确保电池组的安全运行；负载开关电路，用于在不同负载之间切换或实现节能模式；电机控制电路，适用于小型电机的驱动和调速；LED 驱动器，用于调节 LED 亮度和保护 LED 免受过流和过热影响；以及汽车电子系统中的电源管理和配电模块，例如车载信息娱乐系统、照明控制和传感器供电等场景。