时间：2025/9/2 9:54:55
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H27S1G8F2BFR-BI 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片属于消费级和工业级应用的存储元件，广泛用于需要大容量非易失性存储的设备中。其设计具备高性能和高可靠性，适用于各种嵌入式系统和存储卡。
容量：1Gb
类型：NAND Flash
接口：8位并行接口
电压：2.7V - 3.6V
封装：TSOP
工作温度：-40°C至+85°C
H27S1G8F2BFR-BI NAND闪存芯片的主要特点包括其高容量存储能力，适合大块数据的读写操作。其8位并行接口设计允许快速的数据传输速率，满足高速存储需求。
该芯片支持页编程和块擦除操作，提供高效的存储管理方式。同时，其耐用性表现优异，可支持数万次的擦写周期，确保长期使用可靠性。
此外，H27S1G8F2BFR-BI 的工作温度范围广泛，从-40°C到+85°C，使其适用于各种严苛的工业环境和嵌入式应用场景。低功耗设计也使其在便携式设备中表现出色。
H27S1G8F2BFR-BI 被广泛应用于多种需要大容量非易失性存储的设备和系统，包括嵌入式控制系统、便携式电子设备、数据采集设备、工业控制设备以及各种存储卡和模块。
由于其高可靠性和宽工作温度范围，该芯片特别适用于需要在恶劣环境中稳定运行的工业设备。同时，其高速接口特性使其适用于需要快速数据读写的应用场景，如多媒体设备和数据存储模块。
H27U1G8F2BTR-BC, H27S1G8F2BFR-BIT
