时间：2025/8/28 6:43:46
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IR3T47G 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于高效能、高频开关应用。IR3T47G 采用先进的沟槽技术，以优化性能和可靠性。
类型：MOSFET，N 沟道
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：11A（在 100°C 时）
导通电阻（RDS(on)）：0.47Ω（最大值）
功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
IR3T47G 具备出色的导通和开关性能，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其低导通电阻（RDS(on)）可减少导通状态下的功耗，从而提升热性能。此外，该 MOSFET 具有较高的耐压能力，可在高压环境下稳定工作。
该器件采用了先进的沟槽结构技术，优化了电场分布，提升了器件的可靠性。其封装形式（TO-220）具备良好的散热性能，适用于高功率密度应用。IR3T47G 的栅极驱动设计简单，适合多种驱动电路方案。
在短路和过载条件下，IR3T47G 仍能维持稳定运行，具备良好的耐用性和稳定性。此外，其高抗雪崩能力确保了在瞬态高压条件下的安全运行。
IR3T47G 广泛应用于各种电源管理系统，如 AC-DC 电源转换器、DC-DC 转换器、马达控制、电池管理系统以及工业自动化设备。它也适用于 LED 照明驱动、家用电器和电动工具等功率控制场景。由于其高压和高电流处理能力，IR3T47G 在需要高效能功率开关的场合中表现尤为出色。
IRF540N, IRF740, IR3T47Q, STP12NM60N
