时间：2025/6/24 15:58:37
阅读：12
IRLR8113TRPBF是英飞凌（Infineon）公司生产的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-263封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等。这款MOSFET以其出色的性能和可靠性被广泛应用于消费电子、工业控制和汽车领域。
型号：IRLR8113TRPBF
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源电压）：40V
Rds(on)（导通电阻）：7.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：47A
Vgs(th)（栅极开启电压）：1.5V~2.5V
Qg（总栅极电荷）：19nC
f（工作频率）：支持高频开关
封装：TO-263（D2PAK）
IRLR8113TRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V时仅为7.5mΩ，可显著降低导通损耗。
2. 高额定电流能力，支持高达47A的连续漏极电流，适合大功率应用。
3. 快速开关特性，总栅极电荷Qg仅为19nC，有助于减少开关损耗并提高效率。
4. 宽泛的工作电压范围，最大漏源电压为40V，能够适应多种电路设计需求。
5. 逻辑电平驱动，较低的栅极开启电压（1.5V~2.5V），便于与微控制器或其他逻辑电路直接连接。
6. 具备出色的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
7. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的制造要求。
这些特性使IRLR8113TRPBF成为高效能电源管理和功率转换的理想选择。
IRLR8113TRPBF由于其优异的性能，适用于以下领域：
1. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
2. 负载开关，用于动态分配和管理电源系统中的负载。
3. 电机驱动，特别是在小型直流电机或步进电机的应用中。
4. 电池保护电路，用于防止过充或过放。
5. 各类开关电源（SMPS），包括适配器和充电器。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
7. 汽车电子系统的功率开关应用。
凭借其高效率和可靠性，IRLR8113TRPBF在这些应用中表现出色。
IRLZ44N, IRL540N, FDP5500
