UTC3N80L 时间：2025/12/27 8:11:29 阅读：14

UTC3N80L是一款由友顺科技（Unisonic Technologies Co., Ltd.）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压制程技术制造，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高电压、低导通电阻和快速开关特性的应用场合。该器件封装于TO-220或TO-220F等标准功率封装中，具备良好的热稳定性和机械强度，能够承受较高的工作温度和电流负载。UTC3N80L的设计注重在800V的耐压条件下实现较低的导通电阻与栅极电荷，从而提升系统整体能效并降低功耗。其主要面向工业控制、消费类电子电源适配器、LED照明驱动电源以及待机电源电路等应用场景。由于采用了平面栅极结构和优化的元胞设计，该MOSFET在保证高击穿电压的同时，也具备出色的抗雪崩能力和可靠性。此外，UTC3N80L符合RoHS环保要求，适合无铅回流焊工艺，广泛用于现代绿色节能电子产品中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：800V
　　连续漏极电流(ID)：3A（25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：12A
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　导通电阻(RDS(on))：典型值2.2Ω（@VGS=10V, ID=1.5A）
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：约600pF（@VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz）
　　输出电容(Coss)：约170pF
　　反向传输电容(Crss)：约25pF
　　总栅极电荷(Qg)：约28nC（@VDS=600V, ID=3A, VGS=10V）
　　上升时间(tr)：约50ns
　　下降时间(tf)：约25ns
　　体二极管反向恢复时间(trr)：约120ns
　　最大工作结温(Tj)：150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

特性

UTC3N80L具备优异的高压性能与稳定的电气参数，其800V的漏源击穿电压使其非常适合应用于离线式开关电源设计中，尤其是在AC-DC反激变换器拓扑中作为主开关管使用。该器件在高温环境下仍能保持较低的导通损耗，得益于其相对较低的RDS(on)，这有助于减少发热并提高系统长期运行的可靠性。同时，该MOSFET具有较小的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这意味着驱动电路所需的功耗更低，有利于提升高频开关效率，特别适用于工作频率较高的电源设计。其阈值电压范围适中，在2.0V至4.0V之间，确保了良好的开启控制能力，并避免因噪声干扰导致误触发。UTC3N80L还具备较强的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压或感性负载关断过程中有效吸收能量，防止器件损坏，从而增强系统的鲁棒性。
　　该器件的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr≈120ns），可减少关断时的反向恢复电流尖峰，降低电磁干扰（EMI）并减小开关应力，这对于提高系统EMI性能和整体效率至关重要。此外，UTC3N80L采用成熟的TO-220封装，具备优良的散热性能，可通过外接散热片进一步提升功率处理能力。其内部结构经过优化，减少了寄生参数的影响，提高了开关速度和热稳定性。在实际应用中，UTC3N80L常被用于电视电源板、PC电源、充电器、适配器及工业电源模块中，表现出良好的一致性与耐用性。由于其符合RoHS指令且支持无铅焊接工艺，因此适用于现代环保型电子产品的大规模生产。综合来看，UTC3N80L是一款兼顾高性能、高可靠性和成本效益的理想高压MOSFET解决方案。

应用

UTC3N80L主要用于各类高电压、中功率的开关电源系统中，典型应用包括通用交流适配器、手机与笔记本电脑充电器、LCD TV电源模块、LED恒流驱动电源、待机辅助电源（standby power supply）、DC-DC变换器中的主控开关管，以及工业控制设备中的功率切换电路。此外，它也可用于电机驱动、逆变器和小型UPS不间断电源等场合。由于其具备800V的高耐压能力，特别适合全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下的离线式反激变换器设计，能够应对电网波动带来的高压冲击。在轻载和满载条件下均能保持较高效率，因此广泛应用于追求高能效等级（如Energy Star、ERP Tier 2）的节能产品中。其快速开关特性也有助于实现更高的工作频率，从而减小变压器和滤波元件的体积，有助于实现电源的小型化与轻量化设计。