时间：2025/7/8 10:16:33
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RF15N1R2C500CT 是一款氮化镓 (GaN) 基础的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设计用于射频 (RF) 和微波应用。它具有高频率、高效率和高功率密度的特点，适用于无线通信、雷达系统以及卫星通信等领域。
该器件采用先进的封装技术以优化热性能，并且支持宽带操作，从而使其成为高频放大器的理想选择。
类型：射频功率晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
封装：陶瓷气密封装
最大漏极电流：15A
击穿电压：100V
栅极电荷：5nC
输出电容：2pF
输入电容：3.5pF
工作频率范围：DC 至 6GHz
导通电阻：1.2Ω
功耗：500W
RF15N1R2C500CT 的主要特点包括：
1. 高电子迁移率和高饱和速度，提供卓越的高频性能。
2. GaN 技术确保了在高频和高功率条件下具有更高的效率。
3. 封装设计经过优化，能够有效散热并保持长期可靠性。
4. 内部结构集成了保护二极管，增强了器件的鲁棒性。
5. 具有低寄生电感和电容，适合于宽带和窄带应用中的高性能表现。
6. 稳定的工作特性和较高的线性度，使该晶体管非常适合多载波和复杂调制信号的应用场景。
RF15N1R2C500CT 广泛应用于以下领域：
1. 基站功率放大器，尤其是在新一代无线通信标准中（如 5G）。
2. 军事及民用雷达系统，需要高增益和高线性度的发射机。
3. 卫星通信地面站设备中的上变频器和下变频器。
4. 医疗成像设备中的高频信号处理模块。
5. 测试与测量仪器中的射频信号源和放大器组件。
6. 高速数据链路中的功率驱动级，例如点对点微波回传系统。
RF15N1R2C600CT, RF12N1R5C500CT
