IR3T46U6 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 OptiMOS? 系列产品。该器件专为高效率、高频开关应用设计,广泛用于电源转换器、DC-DC 转换器、同步整流器和电机驱动等电路中。IR3T46U6 采用了先进的沟槽技术,具备低导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(Id):15A
最大漏极-源极电压(Vds):60V
最大栅极-源极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):25mΩ @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on)):35mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷(Qg):16nC @ 10V
功率耗散(Pd):40W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TSOP-6
IR3T46U6 的最大优势在于其极低的导通电阻(Rds(on)),在 10V 栅极电压下仅为 25mΩ,显著降低了导通损耗,适用于高电流应用。该器件采用了先进的沟槽 MOSFET 技术,提升了载流能力和热稳定性。
其栅极电荷(Qg)为 16nC,在高频开关应用中可有效降低开关损耗,从而提高整体效率。此外,该 MOSFET 具备高达 ±20V 的栅极-源极电压耐受能力,增强了其在高压或瞬态条件下的可靠性。
IR3T46U6 采用 TSOP-6 封装,体积小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用。该封装具有良好的散热性能,确保在高功率操作下仍能维持稳定的工作状态。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适用于工业级和汽车级应用环境,具备出色的稳定性和耐久性。内置的雪崩能量保护功能也增强了其在恶劣条件下的抗干扰能力。
IR3T46U6 主要用于需要高效功率转换和高频开关的电子系统中,常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统以及电源管理模块。
在服务器电源、电信设备、便携式电子产品和工业控制系统中,该 MOSFET 可作为主开关或同步整流器件使用,提供高效的功率传输和低功耗特性。
由于其良好的热性能和高电流承载能力,IR3T46U6 也广泛应用于汽车电子系统,如车载充电器、DC-DC 转换模块和电动助力转向系统等,满足汽车级严苛的环境要求。
在设计中,IR3T46U6 常与控制器 IC 搭配使用,构成高效的同步降压或升压转换电路,适用于需要高性能和高可靠性的电源解决方案。
SiR142DP-T1-GE3, IPD50P03P4-04, FDS6680, BSC016N04LS