IR3T46U6 时间：2025/8/28 14:05:19 阅读：21

IR3T46U6 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 OptiMOS? 系列产品。该器件专为高效率、高频开关应用设计，广泛用于电源转换器、DC-DC 转换器、同步整流器和电机驱动等电路中。IR3T46U6 采用了先进的沟槽技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，有助于降低功率损耗并提高系统效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：15A
　　最大漏极-源极电压（Vds）：60V
　　最大栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：25mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极电荷（Qg）：16nC @ 10V
　　功率耗散（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TSOP-6

特性

IR3T46U6 的最大优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极电压下仅为 25mΩ，显著降低了导通损耗，适用于高电流应用。该器件采用了先进的沟槽 MOSFET 技术，提升了载流能力和热稳定性。
　　其栅极电荷（Qg）为 16nC，在高频开关应用中可有效降低开关损耗，从而提高整体效率。此外，该 MOSFET 具备高达 ±20V 的栅极-源极电压耐受能力，增强了其在高压或瞬态条件下的可靠性。
　　IR3T46U6 采用 TSOP-6 封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。该封装具有良好的散热性能，确保在高功率操作下仍能维持稳定的工作状态。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级和汽车级应用环境，具备出色的稳定性和耐久性。内置的雪崩能量保护功能也增强了其在恶劣条件下的抗干扰能力。

应用

IR3T46U6 主要用于需要高效功率转换和高频开关的电子系统中，常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统以及电源管理模块。
　　在服务器电源、电信设备、便携式电子产品和工业控制系统中，该 MOSFET 可作为主开关或同步整流器件使用，提供高效的功率传输和低功耗特性。
　　由于其良好的热性能和高电流承载能力，IR3T46U6 也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、DC-DC 转换模块和电动助力转向系统等，满足汽车级严苛的环境要求。
　　在设计中，IR3T46U6 常与控制器 IC 搭配使用，构成高效的同步降压或升压转换电路，适用于需要高性能和高可靠性的电源解决方案。