IR3T20是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)推出的功率场效应晶体管(MOSFET),专为高效能、高可靠性的电源管理系统而设计。该器件基于先进的沟槽栅场效应晶体管技术,具有较低的导通电阻(RDS(on))和出色的热稳定性,适用于广泛的应用领域,包括工业自动化、消费类电子产品、电动工具、电池管理系统和新能源设备等。IR3T20采用SOT-223封装,具备优异的热管理和空间节省优势,使其成为高密度电源设计的理想选择。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):200V
最大漏极电流(ID):4A
导通电阻(RDS(on)):最大1.5Ω @ VGS=10V
栅极阈值电压(VGS(th)):2V ~ 4V
最大功率耗散(PD):25W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:SOT-223
IR3T20具备多项关键特性,使其在多种功率应用中表现卓越。
首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,该MOSFET采用先进的沟槽栅技术,优化了导电性能并提升了热稳定性,确保在高温环境下依然能够可靠运行。
其次,IR3T20具有较高的击穿电压(200V),能够在高压应用中提供良好的安全裕量。其栅极阈值电压范围适中(2V ~ 4V),兼容常见的逻辑电平驱动电路,便于集成到各种控制系统中。
再者,SOT-223封装设计不仅提供了良好的散热性能,还减少了PCB空间占用,非常适合对尺寸和散热要求较高的应用场合。此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于绿色环保电子产品设计。
最后,IR3T20的可靠性和耐用性经过严格测试,确保在恶劣环境条件下仍能保持稳定性能,适用于工业级和消费级应用。
IR3T20广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. **工业自动化与控制系统**:用于开关电源、电机驱动、继电器控制等场景,提供高效能和高稳定性的功率开关解决方案。
2. **消费类电子产品**:如电源适配器、LED照明、充电器等,利用其低导通电阻和高效率特点,提升产品能效比和用户体验。
3. **电动工具与便携式设备**:适用于电池供电设备中的功率开关控制,延长电池使用寿命并提高设备可靠性。
4. **电池管理系统(BMS)**:用于电池保护电路中的充放电控制,确保电池组的安全运行。
5. **新能源设备**:如太阳能逆变器、储能系统等,作为关键的功率元件,提升能源转换效率。
6. **汽车电子**:用于车载电源管理系统、车载充电器等应用,满足汽车电子对高可靠性和耐温性能的需求。
IPD180N20N3 G | STW20NM20 | FDPF20N20