IR3R60N5/E2 时间：2025/8/27 16:05:20 阅读：23

IR3R60N5/E2 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频率和高功率密度的应用设计，适用于各种工业和消费类电子设备中的功率开关。IR3R60N5/E2 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供更低的导通电阻（Rds(on)）和更高的电流处理能力，同时保持良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：16A（Tc=100℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.39Ω（在 Vgs=10V 时）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃
　　封装类型：TO-220
　　引脚数：3
　　

特性

IR3R60N5/E2 具有多种关键特性，使其在功率转换应用中表现出色。首先，其高耐压能力（600V）使其适用于中高压功率转换器，如开关电源（SMPS）、电机驱动器和照明系统。其次，低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率，这对于高频率操作尤为重要。
　　此外，该器件采用先进的沟槽式栅极结构，提供更快的开关速度和更低的栅极电荷（Qg），从而减少开关损耗并提升整体性能。其封装形式（TO-220）具有良好的散热性能，能够在较高工作电流下保持稳定运行。
　　IR3R60N5/E2 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作，适用于工业级应用。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路，增加了设计的灵活性。此外，其内部结构优化可有效抑制寄生双极效应，提高器件在高 di/dt 条件下的稳定性。

应用

IR3R60N5/E2 主要应用于各种需要高效率功率开关的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、逆变器、电机控制电路、照明系统（如 HID 灯驱动）以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压和低导通电阻特性，该 MOSFET 在需要高效能和紧凑设计的电源系统中表现出色。
　　在电机驱动应用中，IR3R60N5/E2 可用于构建 H 桥电路，实现电机的双向控制。在照明系统中，该器件可用于高频镇流器设计，提高照明系统的能效。此外，它还可用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等新能源相关设备中，作为主开关或同步整流器件，提升整体系统效率。