IR3R60N5/E2 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频率和高功率密度的应用设计,适用于各种工业和消费类电子设备中的功率开关。IR3R60N5/E2 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,提供更低的导通电阻(Rds(on))和更高的电流处理能力,同时保持良好的热稳定性和可靠性。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):16A(Tc=100℃)
导通电阻(Rds(on)):最大 0.39Ω(在 Vgs=10V 时)
功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
封装类型:TO-220
引脚数:3
IR3R60N5/E2 具有多种关键特性,使其在功率转换应用中表现出色。首先,其高耐压能力(600V)使其适用于中高压功率转换器,如开关电源(SMPS)、电机驱动器和照明系统。其次,低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率,这对于高频率操作尤为重要。
此外,该器件采用先进的沟槽式栅极结构,提供更快的开关速度和更低的栅极电荷(Qg),从而减少开关损耗并提升整体性能。其封装形式(TO-220)具有良好的散热性能,能够在较高工作电流下保持稳定运行。
IR3R60N5/E2 还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠工作,适用于工业级应用。该器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),兼容多种驱动电路,增加了设计的灵活性。此外,其内部结构优化可有效抑制寄生双极效应,提高器件在高 di/dt 条件下的稳定性。
IR3R60N5/E2 主要应用于各种需要高效率功率开关的场合。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、逆变器、电机控制电路、照明系统(如 HID 灯驱动)以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压和低导通电阻特性,该 MOSFET 在需要高效能和紧凑设计的电源系统中表现出色。
在电机驱动应用中,IR3R60N5/E2 可用于构建 H 桥电路,实现电机的双向控制。在照明系统中,该器件可用于高频镇流器设计,提高照明系统的能效。此外,它还可用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)等新能源相关设备中,作为主开关或同步整流器件,提升整体系统效率。
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"IRF640",
"STP16NF06",
"FDPF6N60"
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