型号：ADuM4190BRIZ-RL
　　通道数：1
　　隔离耐压：5000 V RMS（持续1分钟，UL 1577）
　　工作电压：2.7 V 至 5.5 V（输入侧）；15 V 至 30 V（输出侧）
　　输出驱动电流：4 A（峰值源电流），6 A（峰值灌电流）
　　开关频率：最高支持1 MHz
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：≥100 kV/μs
　　传播延迟：最大100 ns
　　上升时间：典型值30 ns
　　下降时间：典型值25 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-8宽体
　　隔离标准：符合IEC 60747-5-2，UL 1577
　　爬电距离：≥8 mm

ADuM4190BRIZ-RL的核心优势在于其基于iCoupler?技术的磁耦合隔离机制，这一技术摒弃了传统光耦中的LED和光电晶体管结构，转而采用片上微变压器进行信号传输，从而避免了光耦常见的老化、温度漂移和速度限制问题。这种设计不仅提升了器件的长期稳定性，还大幅提高了数据传输速率和温度适应性。其高达100 kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI）意味着即使在存在强烈电磁干扰的高压环境中，也能有效防止误触发，保障系统的安全运行。该特性对于使用SiC或GaN等宽禁带半导体器件的高频开关电源尤为重要，因为这些器件在快速开关过程中会产生极高的dv/dt，容易引发逻辑错误。
　　另一个关键特性是其强大的输出驱动能力。ADuM4190BRIZ-RL提供4 A源电流和6 A灌电流的峰值输出能力，足以快速驱动大功率IGBT模块或并联MOSFET，显著缩短开关过渡时间，降低导通与关断过程中的能量损耗，进而提高系统效率并减少散热需求。内部集成的欠压锁定（UVLO）电路可监测输出侧供电电压，当电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止在低电压状态下出现非饱和导通现象，避免器件过热损坏。此外，该芯片具有极短且一致的传播延迟（典型值小于80 ns），保证多相或多桥臂系统中各驱动信号之间的同步性，提升整体控制精度。
　　ADuM4190BRIZ-RL还具备出色的温度和寿命稳定性。相比光耦合器随时间和温度变化导致性能衰减的问题，iCoupler技术不受LED老化影响，能够在整个生命周期内保持稳定的信号传输性能。其宽工作温度范围（-40°C至+125°C）使其适用于极端环境下的工业设备。同时，器件通过了严格的安规认证，包括UL、CSA、VDE等机构的相关标准，支持增强型绝缘系统设计，可用于医疗、工业自动化和可再生能源等领域对安全性要求极高的场合。

ADuM4190BRIZ-RL广泛应用于各类需要高可靠性和高性能隔离驱动的电力电子系统中。在工业电机驱动领域，它常用于三相逆变器中驱动IGBT模块，实现对交流电机的精确调速与控制。其高CMTI能力和快速响应特性有助于在复杂的工业电磁环境中维持系统稳定。在太阳能光伏逆变器中，ADuM4190BRIZ-RL被用来驱动DC-AC转换级的功率开关管，支持高效率MPPT（最大功率点跟踪）算法的实施，并能承受户外严酷环境下的长时间运行。对于电动汽车充电基础设施，无论是车载充电机还是直流快充桩，该器件都能提供必要的电气隔离与高效驱动，确保用户安全及设备正常运作。
　　在不间断电源（UPS）系统中，ADuM4190BRIZ-RL用于切换主电源与电池供电模式之间的逆变电路，保障关键负载的连续供电。其快速开关能力和低传播延迟有助于提升UPS的动态响应速度。此外，在工业开关电源（SMPS）、焊接设备、感应加热装置以及风力发电变流器中，该芯片也发挥着重要作用。得益于其高集成度和小尺寸封装，ADuM4190BRIZ-RL还能帮助工程师缩小PCB面积，优化热管理设计，特别适合空间受限但性能要求高的应用场景。

ADuM4190WBRIZ-RL
　　ADuM4190ARIZ-RL
　　UCC21750QDWRQ1
　　SIC1182K