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IRFR9014TRPBF 发布时间 时间:2025/6/21 0:43:02 查看 阅读:5

IRFR9014TRPBF 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装形式,适用于高频率、高效率开关应用。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流、电机驱动等电路中。
  这款 MOSFET 在设计时注重优化性能与功耗之间的平衡,能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:7.8A
  导通电阻(Rds(on)):30mΩ
  总栅极电荷:14nC
  输入电容:330pF
  输出电容:42pF
  反向传输电容:12pF
  结温范围:-55℃ to 175℃

特性

IRFR9014TRPBF 的主要特性包括:低导通电阻(Rds(on)),可以显著减少导通损耗;具备快速开关能力,适合高频应用场合;具有较高的雪崩击穿能量(EAS),增强了器件在过载条件下的可靠性;采用 DPAK 封装,有助于提高散热性能并节省 PCB 空间。
  此外,该器件符合 RoHS 标准,环保无铅,并且经过严格的质量测试,确保长期稳定运行。其耐热性和电气性能表现优异,能够在极端温度条件下保持正常工作状态。

应用

该 MOSFET 广泛应用于各种需要高效功率转换的领域,如笔记本电脑适配器、LED 驱动器、太阳能逆变器、电动工具电池管理以及消费类电子产品中的电源模块。
  在工业控制方面,它可以用于伺服电机驱动、机器人关节控制和其他精密运动控制系统。同时,在通信基础设施建设中,例如基站供电单元和信号处理电路里也常见到 IRFR9014TRPBF 的身影。

替代型号

IRF9014,
  IXTH10N50P3,
  FDP5570,
  AON7514,
  STB55NF06LT

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IRFR9014TRPBF参数

  • 数据列表IRFR9014, IRFU9014
  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C500 毫欧 @ 3.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds270pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR9014PBFTR