IR3R55M 时间：2025/8/28 8:48:50 阅读：3

IR3R55M是一种由Infineon Technologies（英飞凌）生产的功率MOSFET驱动器集成电路，广泛应用于开关电源、电机控制和DC-DC转换器等高功率电子系统中。该芯片专为高效驱动N沟道功率MOSFET而设计，具有高驱动能力和快速响应特性，能够显著提高系统的整体效率和稳定性。IR3R55M采用紧凑的封装形式，便于在有限的空间内实现高性能的功率管理。

参数

类型：MOSFET驱动器
　　封装类型：8引脚
　　工作电压范围：4.5V至20V
　　输出电流（峰值）：1.5A（典型值）
　　传播延迟时间：15ns（典型值）
　　上升/下降时间：5ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至125°C
　　输入信号类型：TTL/CMOS兼容
　　输出类型：图腾柱结构
　　电源电流（静态）：5mA（典型值）

特性

IR3R55M是一款专为高效率功率转换应用设计的高端MOSFET驱动器。其主要特性之一是具备强大的输出驱动能力，能够快速驱动大功率MOSFET，从而降低开关损耗并提高系统效率。芯片内部集成了高精度的欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止MOSFET在非理想条件下工作，提升系统可靠性。
　　此外，IR3R55M具备极低的传播延迟和上升/下降时间，使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流和电机驱动系统。其输入端兼容TTL和CMOS电平，方便与各种控制器或微处理器连接，增强了设计的灵活性。
　　该器件采用紧凑的8引脚封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合用于空间受限的高密度PCB设计。同时，其宽广的工作电压范围（4.5V至20V）使其适用于多种电源应用场景，无论是低压便携设备还是高压工业系统，都能稳定运行。