类型：双N沟道增强型MOSFET
　　封装：TSSOP-8
　　漏源电压(VDS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：100mA（每个通道）
　　栅极阈值电压(VGS(th))：1.5V至2.5V
　　漏源导通电阻(RDS(on))：150Ω（最大值，每个通道）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　功耗(PD)：300mW
　　输入电容(Ciss)：16pF（典型值）
　　封装尺寸：3.0mm x 3.0mm x 0.9mm
　　安装方式：表面贴装（SMD）

N4080SV2LS具有多个关键特性，使其在低功率应用中表现出色。首先，其双N沟道MOSFET结构允许在单个封装中实现两个独立的开关控制功能，适用于多路控制电路设计。其次，该器件的低栅极电荷（Qg）和快速开关特性有助于提高能效并减少开关损耗，适合高频操作的应用场景。此外，该MOSFET阵列采用先进的硅技术，确保了优异的热稳定性和抗静电能力，增强了器件在复杂环境中的可靠性。
　　N4080SV2LS的1.5V至2.5V栅极阈值电压范围使其能够兼容多种逻辑电平控制，包括3.3V和5V系统，便于与微控制器或其他数字控制电路直接连接。同时，其150Ω的最大导通电阻在低电流应用中表现出较低的电压降，从而提高整体系统的效率。该器件的TSSOP封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，适合用于便携式电子设备、电池供电系统和嵌入式控制系统中。
　　在安全性和可靠性方面，N4080SV2LS具备良好的热关断保护能力，能够在高温环境下自动关闭，防止器件因过热而损坏。同时，其抗静电能力达到IEC 61000-4-2标准的4级水平，有效防止静电放电对器件造成损坏，提升了产品的长期稳定性和耐用性。

N4080SV2LS适用于多种低功率开关和控制应用，包括但不限于以下领域：
　　1. **电源管理系统**：作为负载开关用于管理不同电源域的供电，如电池供电设备中的电源控制。
　　2. **DC-DC转换器**：用于低功率DC-DC升压或降压电路中的开关元件，提高能量转换效率。
　　3. **逻辑电平转换**：用于不同电压域之间的信号转换，如将3.3V逻辑信号控制5V电路中的负载。
　　4. **传感器接口电路**：用于控制传感器模块的供电或信号路径，实现低功耗设计。
　　5. **工业控制系统**：在PLC、嵌入式控制器等设备中用于控制继电器、LED指示灯或其他小型执行机构。
　　6. **消费类电子产品**：如智能手表、穿戴设备、智能家居控制器等，用于电源管理和功能控制。

2N7002, BSS138, NDS355AN, 2N3904