DBI15-12 是一款由 STMicroelectronics 生产的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),广泛用于高功率应用。IGBT 是一种结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性的复合型功率半导体器件。DBI15-12 具有高电流承载能力、低导通压降和良好的热稳定性,适用于工业电机驱动、电源转换和电力电子系统等领域。
类型:IGBT
最大集电极-发射极电压:1200V
最大集电极电流:15A
导通压降:约2.1V(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-247
短路耐受能力:有
栅极驱动电压:±20V 最大
功耗:125W
DBI15-12 的主要特性包括高电压和高电流处理能力,使其适用于中高功率变换器应用。该器件采用了先进的沟槽栅和场截止技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,提高了系统效率。此外,DBI15-12 具有良好的短路耐受能力,增强了器件在异常工况下的可靠性。其 TO-247 封装形式具有良好的散热性能,适用于自然冷却或强制风冷环境。器件的栅极驱动电路设计相对简单,可与标准的驱动IC兼容,降低了系统设计复杂度。DBI15-12 还具备优异的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的性能。
DBI15-12 广泛应用于各种电力电子系统中,包括工业电机变频器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电焊机和感应加热设备等。在工业自动化系统中,DBI15-12 常用于电机驱动和功率调节模块,以实现高效、稳定的能量转换。在可再生能源领域,该器件可用于光伏逆变器中,将直流电转换为交流电并入电网。此外,在家电领域,DBI15-12 也可用于电磁炉等高功率家电的功率控制电路中。
STGY15NB120HD, IKW15N120H3