时间：2025/9/2 4:52:26
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H5AN4G8NBJR-UHC 是Hynix（现为SK Hynix）生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储器件，广泛应用于需要大容量存储的电子设备中，如智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）、存储卡以及其他便携式电子产品。这款NAND闪存芯片采用了先进的制造工艺，具有高性能和低功耗的特点，适用于现代消费类电子产品和嵌入式系统。
容量：4GB
封装类型：TSOP
接口类型：ONFI 2.3
电压范围：2.7V - 3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C
H5AN4G8NBJR-UHC 是一款采用ONFI（Open NAND Flash Interface）标准接口的NAND闪存芯片，支持高速数据读写操作。其主要特性包括高存储密度、低功耗设计以及良好的数据保持能力。ONFI 2.3接口标准使得该芯片可以与多种控制器兼容，从而提高系统设计的灵活性。
此外，该芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中自动检测并纠正错误，提高了数据的可靠性和系统的稳定性。为了延长使用寿命，该芯片还支持磨损均衡（wear leveling）算法，从而均匀地分布写入和擦除操作，防止某些存储单元过早失效。
在性能方面，H5AN4G8NBJR-UHC 支持快速的页读取和写入操作，适用于需要高吞吐量的数据存储应用。其TSOP封装形式有助于减少PCB板空间占用，同时具备良好的热稳定性和机械稳定性，适合在复杂环境中使用。
由于其良好的性能和稳定性，H5AN4G8NBJR-UHC 被广泛应用于各种嵌入式系统和消费类电子产品中。该芯片还支持多种电源管理模式，包括待机模式和深度掉电模式，以进一步降低功耗，延长设备的电池寿命。
H5AN4G8NBJR-UHC 主要用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统、存储卡、固态硬盘（SSD）控制器模块、工业计算机、车载信息娱乐系统、数字相机、便携式媒体播放器以及其他需要高容量非易失性存储的电子设备。
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