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TSM650P02CX RFG 发布时间 时间:2025/12/28 19:09:15 查看 阅读:13

TSM650P02CX RFG 是一款由 Toshiba(东芝)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高功率和高频率应用设计。该器件采用先进的工艺技术制造,具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高效功率管理的场合。

参数

类型:功率MOSFET
  沟道类型:P沟道
  最大漏源电压(Vds):20V
  最大栅源电压(Vgs):±12V
  最大漏极电流(Id):6.5A
  导通电阻(Rds(on)):32mΩ(典型值)
  最大工作温度:150℃
  封装类型:SOP(表面贴装)
  引脚数:8
  功率耗散(Pd):4W
  输入电容(Ciss):950pF(典型值)

特性

TSM650P02CX RFG 具有以下关键特性:
  首先,它的低导通电阻(Rds(on))确保在高电流条件下,器件的功率损耗保持在较低水平,从而提高整体效率。该特性对于设计高能效的电源系统和电池供电设备尤为重要。
  其次,该MOSFET具有较高的电流承载能力,最大漏极电流为6.5A,使其适用于中等功率的开关应用。同时,其最大漏源电压为20V,能够在多种电压条件下稳定工作。
  再者,该器件的封装形式为SOP-8,体积小巧,适合高密度PCB布局,并且支持表面贴装技术,便于自动化生产和提高可靠性。
  此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,最大工作温度可达150℃,在高温环境下仍能保持稳定性能。输入电容较小,有助于降低开关损耗,提高高频工作的响应能力。
  最后,TSM650P02CX RFG 还具备良好的抗静电能力和过热保护特性,进一步增强了器件在实际应用中的可靠性和耐用性。

应用

TSM650P02CX RFG 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. **电源管理**:适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电源管理电路,提供高效能的功率控制方案。
  2. **电池供电设备**:由于其低导通电阻和高效能特性,常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备的电源管理系统中。
  3. **电机控制**:可用于小型电机的驱动控制,如电动工具、风扇和泵的开关控制。
  4. **工业自动化**:在工业控制系统中,用于PLC、继电器驱动、传感器电源管理等模块,提高系统的稳定性和响应速度。
  5. **汽车电子**:适用于车载电源系统、LED照明控制、车载充电器等应用场景,满足汽车电子对高可靠性和高稳定性的要求。

替代型号

Si2301DS, FDN337P, AO4403, FDC6303P

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TSM650P02CX RFG参数

  • 现有数量76,885现货
  • 价格1 : ¥5.56000剪切带(CT)3,000 : ¥2.15930卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.1A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)65 毫欧 @ 3A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)800mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)5.1 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)515 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.56W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3