KTC3875S-BL 时间：2025/9/11 18:49:06 阅读：12

KTC3875S-BL 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统以及其他高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：360A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.75mΩ（@VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：130W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：TO-252（DPak）

特性

KTC3875S-BL MOSFET采用了东芝先进的U-MOS VIII-H沟槽技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。
　　该器件具备出色的热稳定性，能够在高电流负载条件下保持稳定运行，适用于高温环境下的工业和车载应用。
　　其快速开关特性有助于减少开关损耗，提升电源转换效率，尤其适合高频开关电源设计。
　　此外，KTC3875S-BL的封装设计优化了散热性能，确保在高功率操作下的可靠性和稳定性。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，提高了在高压和大电流条件下的耐用性，适用于要求严苛的电源管理系统。

应用

KTC3875S-BL MOSFET广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信电源设备、电机驱动器以及汽车电子系统等。
　　由于其低导通电阻和优异的热性能，该器件特别适用于高电流、高效率的电源管理场合，例如高性能计算设备和数据中心电源供应器。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、起停系统、电动助力转向系统等，满足车载环境对可靠性和耐久性的高要求。