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SDM02M50DBS 发布时间 时间:2025/7/22 18:25:50 查看 阅读:7

SDM02M50DBS 是一款由东芝(Toshiba)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高频率的开关应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等领域。SDM02M50DBS 采用DFN(Dual Flat No-leads)封装,具备良好的热管理和空间节省特性,适合在高密度电路设计中使用。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  漏极电流(Id):4.3A(连续)
  导通电阻(Rds(on)):2.0mΩ(最大)@ Vgs=4.5V
  栅极阈值电压(Vgs(th)):0.8V ~ 1.5V
  功耗(Pd):2.0W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装:DFN5×6
  漏源击穿电压(BVDSS):20V

特性

SDM02M50DBS 具有多种优异的电气和热性能,使其适用于各种高效率、高功率密度的电源系统。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。这对于电池供电设备和高功率转换器尤为重要。其次,该MOSFET采用了先进的沟槽式结构,提升了电流密度,使得在较小封装下仍能实现高电流承载能力。
  此外,SDM02M50DBS 采用DFN封装,具有优异的散热性能和较小的PCB占用空间,非常适合用于空间受限的设计。DFN封装还具有较低的引线电感,有助于减少高频开关时的电磁干扰(EMI),提高系统的稳定性。
  在可靠性方面,该器件具有较宽的工作温度范围(-55°C ~ 150°C),可在恶劣环境下稳定工作。其栅极氧化层设计也增强了器件的耐用性,减少了栅极击穿的风险,提高了长期使用的可靠性。
  SDM02M50DBS 还具备快速开关特性,能够适应高频开关应用,如DC-DC转换器、负载开关和马达驱动电路。其较低的输入电容(Ciss)和较快的上升/下降时间,使得驱动电路的负担降低,进一步提升了系统效率。

应用

SDM02M50DBS 主要应用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。常见的应用包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电动工具、无人机、便携式电子产品和电机控制电路等。
  在DC-DC转换器中,SDM02M50DBS 可作为高侧或低侧开关使用,其低导通电阻和快速开关特性能够显著提高转换效率,降低功耗,从而延长电池寿命。在电池管理系统中,该器件可用于电池充放电控制和保护电路,确保电池的安全运行。
  此外,该MOSFET也广泛应用于马达驱动器中,作为H桥结构中的开关元件,提供高效的电机控制能力。在电动工具和无人机等高功率便携设备中,SDM02M50DBS 可以提供稳定的高电流输出,同时保持较小的PCB空间占用。
  由于其良好的热性能和封装优势,SDM02M50DBS 也适合用于高密度PCB设计,如服务器电源、工业自动化设备和通信设备等。

替代型号

TPC8103,TMN2002,TMN2004

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