时间：2025/10/8 1:22:40
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UVZ1V4R7MDD是松下（Panasonic）公司生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC），属于其高性能电容器产品线中的一员。该器件主要用于需要高稳定性和可靠性的电子电路中，特别是在电源去耦、滤波、旁路和信号耦合等应用场景。这款电容采用先进的材料与制造工艺，确保了在高频工作条件下的低损耗和稳定的电气性能。其小型化封装设计符合现代电子产品对空间利用率的高要求，适用于便携式设备、通信模块、消费类电子产品以及工业控制设备等领域。
该型号中的编码遵循松下电容器的命名规则：'U'代表系列代号，'VZ'可能表示特定的介质类型或温度特性，'1V'指示额定电压等级为35V DC，'4R7'表示电容值为4.7μF，'M'为容差±20%，'DD'则代表尺寸代码（如1210，即3225公制尺寸）。整体来看，UVZ1V4R7MDD是一款针对高密度贴装和高性能需求优化的表面贴装器件（SMD），具备良好的温度特性和长期稳定性，适合自动化贴片生产工艺。
电容值：4.7μF
容差：±20%
额定电压：35V DC
温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，电容变化率 ±15%）
工作温度范围：-55°C ~ +85°C
尺寸（英制）：1210
尺寸（公制）：3225
封装类型：表面贴装（SMD）
介质材料：陶瓷（X5R类）
直流电阻（DCR）：极低（典型值小于10mΩ）
自谐振频率（SRF）：约30MHz（依赖于PCB布局）
最大纹波电流：依据环境温度降额使用
老化率：≤2.5%每1000小时
UVZ1V4R7MDD采用X5R型陶瓷介质，具有优异的温度稳定性，在-55°C到+85°C的工作范围内电容值的变化不超过±15%，这对于需要在宽温环境下保持性能稳定的电源滤波和去耦应用至关重要。相比Y5V等介质，X5R在温度变化时表现出更小的电容漂移，因此更适合用于精密模拟电路和开关电源输出端的平滑滤波。此外，该电容器的静电容量较大（4.7μF），在1210（3225）的小型封装内实现了较高的体积效率，体现了松下在高介电常数材料（如BaTiO3基陶瓷）方面的技术积累。
该器件具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），使其在高频去耦场景中表现优异，能有效抑制高频噪声并提升电源完整性。尤其是在数字IC（如FPGA、DSP、微处理器）的供电引脚附近使用时，可显著降低电压波动，防止系统误动作。同时，由于其表面贴装结构设计，UVZ1V4R7MDD支持回流焊工艺，兼容无铅焊接流程，满足RoHS环保标准，广泛应用于现代自动化生产线。
机械强度方面，该电容器经过优化的端电极结构（如镍阻挡层和锡镀层）提高了抗热冲击和抗板弯能力，降低了因PCB弯曲或热应力导致的裂纹风险。此外，该型号通过了AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的领域。需要注意的是，陶瓷电容器存在电压系数效应，即施加直流偏压时实际电容值会下降，因此在35V额定电压下实际可用容量可能低于标称值，设计时应参考厂家提供的直流偏压特性曲线进行降额使用。
UVZ1V4R7MDD多层陶瓷电容器广泛应用于各类电子设备中的电源管理电路，作为去耦电容连接在集成电路的电源引脚与地之间，用以滤除高频噪声、稳定供电电压，提升系统的电磁兼容性（EMC）和运行稳定性。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作输出滤波电容，配合电感构成LC滤波网络，平滑整流后的脉动电压，减少输出纹波。此外，在DC-DC转换器、LDO稳压器的输入/输出端也常见此类电容的身影，起到储能和瞬态响应支持的作用。
在通信设备中，该电容器可用于射频模块的偏置电路旁路、本地电源去耦以及信号路径中的交流耦合，因其低ESR和良好频率响应特性而受到青睐。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能手表等对元件小型化和高性能有极高要求，UVZ1V4R7MDD凭借其1210封装内的大容量优势，成为主板上常用的贴片电容之一。
工业控制系统、医疗仪器和汽车电子（如ADAS模块、车载信息娱乐系统）中，该器件同样适用，特别是在需要承受一定温度波动和机械振动的环境中，其可靠的结构设计确保长期稳定运行。此外，在FPGA、ASIC、微控制器等高速数字芯片的电源域隔离中，多个UVZ1V4R7MDD可并联使用，形成低阻抗电源通路，有效应对动态负载变化引起的电压跌落问题。
GRM32ER7E35V4R7M
C3225X5R1V4R7M
CL32E4R7MBHNNNE
TC3225X5R35V4R7M
