IR3N74 时间：2025/8/28 1:08:01 阅读：6

IR3N74是一种N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电子设备中。这款MOSFET由Infineon Technologies生产，设计用于高频率开关应用，具有低导通电阻和高电流处理能力。IR3N74以其出色的热性能和耐用性著称，适用于多种电源管理和功率转换应用。

参数

类型: N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds): 30V
　　最大栅源电压(Vgs): ±20V
　　最大连续漏极电流(Id): 20A
　　导通电阻(Rds(on)): 0.035Ω
　　最大功耗(Pd): 60W
　　工作温度范围: -55°C至175°C
　　封装类型: TO-252
　　引脚数: 3

特性

IR3N74的主要特性包括其低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。此外，该器件具有优异的热性能，能够在高温度环境下稳定工作。IR3N74的高电流处理能力使其适合用于需要大功率输出的应用，如电机控制和电源转换。该MOSFET还具有快速开关特性，使其适用于高频开关电路。此外，IR3N74的封装设计有助于提高散热效率，确保设备在长时间运行时的稳定性。
　　IR3N74的设计考虑了高可靠性和长寿命，这使其成为工业应用和汽车电子系统的理想选择。其高耐压特性也使其能够在电压波动较大的环境中保持稳定的工作状态。此外，IR3N74的封装形式使其易于集成到现有的电路设计中，降低了设计复杂性。

应用

IR3N74广泛应用于多种电源管理和功率转换系统中，包括但不限于电源适配器、电机控制器、DC-DC转换器以及电池管理系统。在汽车电子领域，IR3N74可用于车载充电系统和电动车辆的功率控制模块。此外，该器件还适用于工业自动化设备中的电源管理和控制电路，以及太阳能逆变器等可再生能源系统中的功率转换环节。