晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23

LMBT8050晶体管具有多项优良的电气和机械特性，适用于各种电子设计应用。首先，其最大集电极-发射极电压为30V，可以支持中等电压范围的应用。其次，该晶体管的最大集电极电流为100mA，能够满足大多数小信号放大和开关控制的需求。在高频性能方面，LMBT8050的最大工作频率达到100MHz，使其在射频（RF）或高速开关电路中表现出色。
　　此外，LMBT8050的增益（hFE）范围为110到800，具体数值取决于不同的等级分类，这种高增益特性使得它在信号放大电路中表现优异。晶体管的封装形式为SOT-23，这种小型表面贴装封装不仅节省空间，而且便于自动化生产和焊接。
　　该器件的工作温度范围较宽，通常支持-55°C至+150°C的环境温度范围，适用于多种工业级应用场景。LMBT8050的低功耗特性（最大功耗为300mW）也使其在电池供电设备中具有良好的能效表现。

LMBT8050晶体管因其多功能性和可靠性，被广泛应用于多个领域。在消费电子领域，该器件常用于音频放大器、开关电路和信号处理模块。在工业控制方面，LMBT8050可用于继电器驱动、传感器接口电路和电源管理模块。此外，由于其高频性能良好，LMBT8050也常用于无线通信设备中的射频信号放大和调制电路。
　　在嵌入式系统中，LMBT8050常作为开关元件，用于控制LED、继电器或小型电机。它还可用于逻辑电平转换、缓冲电路和驱动电路的设计。由于其封装小巧且易于集成，LMBT8050也常用于便携式设备、物联网（IoT）设备和智能传感器等新兴技术领域。

2N3904, BC547, PN2222