G3VM-355CR 时间：2025/12/27 0:35:43 阅读：13

G3VM-355CR是一种MOS FET输出型光电耦合器，由松下（Panasonic）公司生产。该器件结合了输入侧的发光二极管（LED）与输出侧的功率MOS FET结构，通过光信号实现电气隔离控制。它属于无触点固态继电器的一种，广泛应用于需要高可靠性、长寿命和低功耗驱动的开关系统中。G3VM-355CR采用紧凑型SMD封装（如SSLP4封装），适合在空间受限的PCB设计中使用。其主要特点是能够以低输入电流驱动实现对较大负载电流的控制，并具备较高的输入-输出绝缘电压，确保系统的安全性和抗干扰能力。该器件无需外部偏置电源即可工作，简化了电路设计，同时具有快速响应时间、低导通电阻以及良好的温度稳定性，适用于自动化控制、通信设备、测试仪器及工业电源等多种领域。由于其为单刀单掷常开型（SPST-NO）结构，在LED未点亮时处于断开状态，通电后接通输出回路。

参数

类型：MOS FET输出光电耦合器
　　通道数：1
　　输出类型：双N沟道MOSFET背对背
　　封装形式：SSLP4
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　LED波长：940 nm（典型值）
　　输出耐压（VDS）：35 V（最大值）
　　连续负载电流（IO）：250 mA（最大值）
　　峰值输出电流（IOP）：500 mA
　　导通电阻（RON）：8 Ω（典型值），12 Ω（最大值）
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（Turn-on Time）：0.2 ms（典型值）
　　响应时间（Turn-off Time）：0.3 ms（典型值）
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　引脚数量：4
　　尺寸：约 3.6 mm × 2.7 mm × 1.7 mm

特性

G3VM-355CR的核心技术基于光电耦合原理，输入端采用红外LED，输出端则由两个N沟道功率MOS FET背对背连接构成，这种结构允许器件控制交流或直流负载，并有效防止漏电流通过。当输入侧施加正向电流时，LED发出近红外光，照射到光敏栅极上，激发出电子-空穴对，从而在MOS FET的栅极形成电荷积累，使其导通。由于是光控机制，因此实现了输入与输出之间的完全电气隔离，避免了噪声串扰和地环路问题。
　　该器件的一大优势是超低的导通电阻，典型值仅为8Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗和温升，提高了能效并延长了使用寿命。此外，由于没有机械触点，不存在磨损、弹跳或氧化等问题，具备高达1亿次以上的电气寿命，远优于传统电磁继电器。其响应速度快，开通时间仅0.2ms，关断时间0.3ms，适用于高频切换应用场合。
　　G3VM-355CR还具备良好的热稳定性和抗冲击振动性能，适合在恶劣工业环境中运行。SSLP4小型化封装不仅节省PCB空间，而且支持自动化贴片生产，提高制造效率。器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质。内置的光学反馈机制确保输出特性的一致性，即使在老化过程中也能保持稳定的性能表现。此外，高达5000Vrms的隔离电压使其可用于医疗设备、测量仪器等对安全性要求较高的系统中，提供可靠的保护功能。

应用

G3VM-355CR广泛用于各类需要安全隔离与静音操作的电子控制系统中。在工业自动化领域，常被用作PLC（可编程逻辑控制器）模块中的信号切换元件，用于控制传感器、执行器或小功率电磁阀的通断。由于其支持交流和直流负载控制，因此在测试与测量设备中也十分常见，例如自动测试设备（ATE）中用于程控信号路由切换，确保测试精度不受干扰。
　　在通信设备中，G3VM-355CR可用于电话交换系统、数据采集卡或多路复用电路中，作为模拟信号或数字信号的隔离开关，提升系统抗噪能力和信号完整性。在医疗电子设备中，因其高隔离电压和可靠性，可用于病人连接设备中的信号隔离部分，保障使用者安全。
　　此外，该器件也适用于办公自动化设备，如打印机、扫描仪中的纸张检测或加热组件控制；消费类电子产品如智能家居控制模块、智能电表中的负载开关；以及电源管理系统中的电池充放电路径切换等场景。由于其表面贴装封装形式，特别适合高密度、小型化的现代电子产品设计需求。无论是在高温、高湿还是强电磁干扰环境下，G3VM-355CR均能稳定工作，展现出优异的环境适应性。