IR3M58U 时间：2025/8/27 19:45:33 阅读：20

IR3M58U是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换应用，如DC-DC转换器、电源管理模块和负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于高频率开关操作，从而提升系统效率并减少热量产生。IR3M58U的封装形式通常为小型DFN（Dual Flat No-leads）封装，适合空间受限的设计需求，同时也支持表面贴装工艺，便于自动化生产。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.2A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：DFN（3.3mm x 3.3mm）
　　功率耗散（Pd）：1.8W
　　输入电容（Ciss）：330pF（典型值）
　　开启阈值电压（Vgs(th)）：1.2V至2.2V

特性

IR3M58U具备一系列高性能特性，适用于高效率电源系统设计。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高电源转换效率。该器件支持高达4.2A的连续漏极电流，在高频开关条件下仍能保持良好的热稳定性。
　　采用DFN封装形式，不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且具备良好的热管理性能。该封装还具有较低的引线电感，有助于减少开关过程中的电压尖峰，提高系统的稳定性。
　　IR3M58U的工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于多种工业环境，包括车载电子、通信设备和工业自动化系统。此外，其较高的栅源电压容限（±20V）增强了器件在不同工作条件下的可靠性。
　　该MOSFET的输入电容较低（330pF），有助于减少开关损耗，提高响应速度，适用于高频PWM控制。开启阈值电压范围适中（1.2V至2.2V），使其能够与多种控制器和驱动电路兼容。

应用

IR3M58U广泛应用于需要高效能和小尺寸封装的电源管理系统。常见用途包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备的电源控制以及电机驱动电路。
　　由于其低导通电阻和高频率响应能力，该器件特别适合用于需要高效率的能量转换系统，例如笔记本电脑电源、移动电源、智能穿戴设备和LED照明驱动模块。
　　在工业控制领域，IR3M58U可用于PLC（可编程逻辑控制器）的电源模块、传感器供电系统以及低功耗电机控制电路。其良好的热稳定性和宽工作温度范围也使其成为车载电子系统的理想选择，如车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统的电源管理单元。