类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：6.0A（在 Vgs=10V 时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 34mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TSMT4（表面贴装）

LTL2F3KEK 是一款高性能功率 MOSFET，具备低导通电阻（Rds(on)）的特性，有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用罗姆专有的沟槽结构技术，优化了电流密度和导通电阻之间的平衡，从而在小封装下实现较高的电流处理能力。此外，其封装设计具有良好的热管理能力，能够有效散热，适用于高功率密度的应用场景。LTL2F3KEK 还具备快速开关特性，降低了开关损耗，有助于提高整体系统的能效。其栅极驱动电压范围较宽（支持 4.5V 至 10V），可与多种驱动电路兼容，增强了设计的灵活性。另外，该器件具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，可在恶劣环境下稳定运行，提高了系统的可靠性。
　　从封装角度来看，TSMT4 是一种小型表面贴装封装，尺寸紧凑，适合用于空间受限的设计中。它不仅有助于减小 PCB 面积，还能通过自动贴片工艺提升生产效率。此外，LTL2F3KEK 的 RoHS 合规性和无卤素设计，使其符合现代电子产品对环保材料的要求，适用于消费类、工业类以及汽车电子等多种领域。

LTL2F3KEK 主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用中，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、LED 驱动器以及各种电源管理模块。此外，该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载信息娱乐系统中的电源控制部分。由于其优异的导通性能和小型化设计，LTL2F3KEK 非常适合在空间受限、高效率要求的便携式设备和高密度电路板中使用。

Si2302DS, AO3400, IPD30N03S, FDN340P