时间：2025/8/27 17:21:04
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IR3C08N是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关应用。这款MOSFET属于CoolMOS?系列，专为高效率和高性能设计。IR3C08N采用先进的超结（Super Junction）技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，适用于电源、逆变器、电机驱动等应用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：800V
连续漏极电流（Id）：11A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.34Ω（最大）
功率耗散（Ptot）：100W
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极电荷（Qg）：67nC
漏极电流（脉冲）：44A
IR3C08N采用了英飞凌的CoolMOS?技术，使其在高压应用中表现出色。该器件具有较低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，其高耐压能力和出色的热稳定性使其适用于高温和高负载环境。IR3C08N的开关速度快，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。其封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于多种工业和消费类应用。
CoolMOS?技术的引入使得IR3C08N在800V耐压范围内具有优异的性能，尤其是在硬开关和高频应用中表现出色。由于其低Qg（栅极电荷）特性，该MOSFET的驱动损耗较小，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。此外，IR3C08N的雪崩能量耐受能力较强，提高了器件在严苛工作条件下的可靠性。
IR3C08N常用于各种高功率和高频开关应用，包括开关电源（SMPS）、光伏逆变器、电机驱动、UPS（不间断电源）、DC-DC转换器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高效率和高可靠性，IR3C08N也适用于需要高功率密度和紧凑设计的电子系统。此外，该器件还可用于LED照明驱动器、电池充电器和家用电器中的功率管理单元。
SPW20N80C3, IPW60R045C7, FCP800800S
