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IR3C08N 发布时间 时间:2025/8/27 17:21:04 查看 阅读:7

IR3C08N是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率开关应用。这款MOSFET属于CoolMOS?系列,专为高效率和高性能设计。IR3C08N采用先进的超结(Super Junction)技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和快速的开关特性,适用于电源、逆变器、电机驱动等应用。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):800V
  连续漏极电流(Id):11A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):0.34Ω(最大)
  功率耗散(Ptot):100W
  封装类型:TO-220
  工作温度范围:-55°C至150°C
  栅极电荷(Qg):67nC
  漏极电流(脉冲):44A

特性

IR3C08N采用了英飞凌的CoolMOS?技术,使其在高压应用中表现出色。该器件具有较低的导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了系统效率。此外,其高耐压能力和出色的热稳定性使其适用于高温和高负载环境。IR3C08N的开关速度快,有助于减少开关损耗,提高整体系统性能。其封装形式为TO-220,便于散热和安装,适用于多种工业和消费类应用。
  CoolMOS?技术的引入使得IR3C08N在800V耐压范围内具有优异的性能,尤其是在硬开关和高频应用中表现出色。由于其低Qg(栅极电荷)特性,该MOSFET的驱动损耗较小,适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。此外,IR3C08N的雪崩能量耐受能力较强,提高了器件在严苛工作条件下的可靠性。

应用

IR3C08N常用于各种高功率和高频开关应用,包括开关电源(SMPS)、光伏逆变器、电机驱动、UPS(不间断电源)、DC-DC转换器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高效率和高可靠性,IR3C08N也适用于需要高功率密度和紧凑设计的电子系统。此外,该器件还可用于LED照明驱动器、电池充电器和家用电器中的功率管理单元。

替代型号

SPW20N80C3, IPW60R045C7, FCP800800S

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