DRF1902ANC是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛适用于各种电源管理和电机驱动应用。其设计旨在提高效率并降低功耗,非常适合要求高性能和可靠性的电路。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:7.8A
导通电阻:45mΩ(典型值,Vgs=10V时)
总功耗:115W
工作温度范围:-55℃至+150℃
DRF1902ANC具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,能够有效减少导通损耗。
2. 高速开关能力,支持高频应用。
3. 出色的热稳定性和散热性能。
4. 符合RoHS标准,环保无铅。
5. 内置静电保护功能,提高器件可靠性。
6. 良好的雪崩击穿能力和抗浪涌能力。
7. 封装形式为TO-263,便于安装和散热管理。
DRF1902ANC适用于多种领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 直流/直流转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池管理系统(BMS)。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 汽车电子中的各种功率控制模块。
7. LED照明驱动器。
IRFZ44N, STP75NF06L, FQP50N06L