DRF1902ANC 时间：2025/4/30 15:50:16 阅读：22

DRF1902ANC是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛适用于各种电源管理和电机驱动应用。其设计旨在提高效率并降低功耗，非常适合要求高性能和可靠性的电路。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：7.8A
　　导通电阻：45mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　总功耗：115W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

DRF1902ANC具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，能够有效减少导通损耗。
　　2. 高速开关能力，支持高频应用。
　　3. 出色的热稳定性和散热性能。
　　4. 符合RoHS标准，环保无铅。
　　5. 内置静电保护功能，提高器件可靠性。
　　6. 良好的雪崩击穿能力和抗浪涌能力。
　　7. 封装形式为TO-263，便于安装和散热管理。

应用

DRF1902ANC适用于多种领域，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
　　2. 直流/直流转换器中的功率开关。
　　3. 电机驱动和控制电路。
　　4. 电池管理系统（BMS）。
　　5. 工业自动化设备中的负载切换。
　　6. 汽车电子中的各种功率控制模块。
　　7. LED照明驱动器。