时间：2025/10/6 22:37:38
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UPM1E391MPD是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现为Qorvo的一部分）生产的硅 carbide（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率的功率转换应用而设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备卓越的热性能和电气特性，适用于在高温、高电压和高开关频率环境下工作的电源系统。UPM1E391MPD属于650V耐压等级的肖特基二极管，其最大反向重复电压（VRRM）为650V，额定平均正向电流（IF(AV)）高达39A，使其非常适合用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及服务器电源等对效率和可靠性要求较高的场合。该器件封装形式为TO-247-2L，具有良好的散热能力和机械稳定性，便于安装于散热器上以实现高效热管理。由于其无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）的特性，UPM1E391MPD在高频开关应用中可显著降低开关损耗，提升系统整体能效。此外，该二极管具备低正向导通压降（VF），进一步减少了导通状态下的功率损耗，提升了能源利用率。作为一款碳化硅基器件，它还表现出优异的高温工作能力，可在高达175°C的结温下持续运行，增强了系统的环境适应性和长期可靠性。
型号：UPM1E391MPD
器件类型：碳化硅肖特基二极管
最大反向重复电压 VRRM：650V
平均正向电流 IF(AV)：39A（单面冷却，TC = 80°C）
峰值非重复浪涌电流 IFSM：310A（半个正弦波，60Hz）
正向电压降 VF：典型值1.7V，最大值1.9V（在IF = 39A, TJ = 25°C条件下）
反向漏电流 IR：最大值10μA（在VR = 650V, TJ = 25°C）；最大值200μA（在VR = 650V, TJ = 150°C）
反向恢复时间 trr：≈ 0 ns（无少子存储效应）
结温范围 TJ：-55°C 至 +175°C
存储温度范围 Tstg：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247-2L
热阻 RθJC：约0.45°C/W（典型值）
UPM1E391MPD的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的物理特性，使得该器件在多个关键性能指标上远超传统硅基PIN二极管。首先，由于碳化硅材料具有宽禁带（~3.2eV），其反向漏电流极低且随温度变化缓慢，即使在高温工况下也能保持稳定的阻断能力。这一特性对于在恶劣环境或密闭空间中运行的电源系统至关重要，有助于防止因漏电流增大而导致的热失控问题。其次，该器件为真正的肖特基势垒结构，不存在P-N结中的少数载流子存储效应，因此在关断过程中不会产生反向恢复电荷（Qrr）或反向恢复电流（Irr），从根本上消除了由反向恢复引起的开关损耗和电磁干扰（EMI）。这一点在高频软开关拓扑如LLC谐振变换器、图腾柱PFC电路中尤为关键，能够显著提升系统效率并简化滤波设计。
此外，UPM1E391MPD具备出色的动态性能和快速响应能力，能够在纳秒级时间内完成导通与关断切换，支持MHz级开关频率操作，适用于新一代高频化、小型化的电源设计趋势。其低正向压降（VF）不仅降低了导通损耗，还减少了对散热系统的要求，从而可以使用更小体积的散热器或实现自然冷却设计，节省系统空间与成本。同时，该器件具有优异的热导率和高温稳定性，可在175°C结温下长期可靠运行，适合应用于靠近发热源（如IGBT模块旁）的场景。TO-247-2L封装提供了良好的电气绝缘和机械强度，并兼容标准安装工艺，便于自动化生产和维护。总体而言，UPM1E391MPD凭借其高效、高速、高可靠性的综合表现，成为现代高功率密度电源系统中理想的整流与续流解决方案。
UPM1E391MPD广泛应用于各类需要高效率和高频率工作的电力电子系统中。在通信电源和服务器电源领域，该器件常用于有源钳位反激、LLC半桥谐振变换器及图腾柱无桥PFC电路中作为输出整流二极管或辅助续流元件，利用其零反向恢复特性降低开关损耗，提升整机能效至80 PLUS钛金标准以上。在可再生能源系统中，如光伏（PV）逆变器和储能变流器，UPM1E391MPD被用于直流母线侧的升压整流环节，能够在宽输入电压范围内保持高效运行，并承受频繁的日晒温差循环考验。在电动汽车相关设备中，包括车载充电机（OBC）和直流快充桩，该二极管可用于DC-DC变换器中的同步整流替代方案或主功率路径中的自由轮换二极管，提升充电效率并减少热管理负担。此外，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及感应加热设备中，UPM1E391MPD也发挥着重要作用，特别是在需要高耐压、高电流密度和高可靠性的桥式整流或斩波电路中。得益于其紧凑的封装和高效的热传导性能，该器件也适用于空间受限但功率密度要求高的嵌入式电源模块设计。
UF3C_65039K|SCT3040AL
