时间：2025/6/12 16:57:34
阅读：9
GMC04CG560J100NT是一款高功率、高频应用的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。该器件采用先进的GaN技术制造，能够提供卓越的开关性能和高效率。其设计适用于工业级应用，如开关电源、逆变器、电机驱动和DC-DC转换器等场景。
GMC04CG560J100NT具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能显著提升电力电子系统的效率和功率密度。此外，这款器件还具备出色的热性能，可支持更高频率下的稳定运行，从而减少系统中的无源元件体积。
型号：GMC04CG560J100NT
类型：GaN FET
额定电压：650V
额定电流：100A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：80nC
最大工作温度：175°C
封装形式：TO-247-3
开关频率：高达5MHz
1. 高效的GaN技术使得GMC04CG560J100NT拥有更低的导通电阻，从而降低导通损耗。
2. 出色的开关性能允许器件在高频条件下运行，进而减小磁性元件的尺寸并提高功率密度。
3. 具备更高的击穿电压（650V），确保了器件在各种严苛环境下的可靠性。
4. 热性能优异，可以有效管理高功率密度应用中的散热问题。
5. 封装采用标准TO-247-3引脚布局，便于集成到现有设计中。
6. 支持高达175°C的工作温度范围，适合高温工业环境。
GMC04CG560J100NT主要应用于需要高效能和高频率工作的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 太阳能逆变器
3. 电动汽车充电设备
4. 工业电机驱动
5. DC-DC转换器
6. 高频谐振电路
7. 数据中心供电模块
由于其高效的性能，该器件也特别适合用于对能耗要求严格的绿色能源相关项目。
GMC04CG560J90NT
GMC04CG560J120NT
Infineon CoolGaN 600V系列
EPC2052
