时间：2025/8/1 19:01:46
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CRMD1002D 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的双MOSFET器件，具体属于N沟道和P沟道互补型功率MOSFET组合。这款器件广泛应用于需要高效功率管理的场合，例如电源转换、电池供电设备以及负载开关等场景。该器件采用紧凑的封装形式，为设计者提供了一种在有限空间内实现高效能功率管理的解决方案。
类型：互补型双MOSFET（1个N沟道，1个P沟道）
最大漏源电压（Vds）：20V（N沟道），-20V（P沟道）
最大漏极电流（Id）：4.1A（N沟道），-2.9A（P沟道）
导通电阻（Rds(on)）：80mΩ（N沟道），160mΩ（P沟道）
封装类型：DFN10（3x3）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
CRMD1002D 的设计使其非常适合于电池供电设备中的功率管理应用。该器件集成了一个N沟道和一个P沟道MOSFET，有助于减少PCB面积和元件数量，从而简化设计并提高系统可靠性。其低导通电阻确保了在高电流应用中的低功耗，从而提高效率并减少散热需求。
此外，CRMD1002D 提供了良好的热性能，封装设计允许有效的散热管理，使其能够在高负载条件下稳定运行。这种MOSFET组合也适合用于同步整流、DC-DC转换器以及电机驱动应用。
该器件的栅极阈值电压较低，使得其能够与低压控制器或驱动器配合使用，适用于现代低功耗设计的需求。同时，其宽泛的工作温度范围使其能够在恶劣环境中稳定工作。
CRMD1002D 常用于以下应用场合：
? 便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的电源管理
? 电池充电和保护电路
? DC-DC转换器和同步整流器
? 负载开关和电机驱动器
? 汽车电子系统（如车载充电器和车身控制模块）
? 工业自动化和控制系统中的功率管理
STD100N3LLH6, STB100N3LLH6
