类型：半桥栅极驱动器
　　输出通道数：2
　　驱动电压（最大）：600V
　　输入电压逻辑兼容性：TTL/CMOS
　　峰值输出电流：±290mA
　　工作电源电压（VDD）：10V 至 20V
　　静态电流：230μA（典型值）
　　传播延迟时间：55ns（典型值）
　　上升时间（tr）：20ns（典型值，1000pF负载）
　　下降时间（tf）：20ns（典型值，1000pF负载）
　　死区时间：内置互锁逻辑防止上下管直通
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOIC-8

IR2308STR具备多项关键特性，使其在中高功率开关电源设计中表现出色。首先，它集成了独立的高端和低端输出通道，每个通道均可提供高达±290mA的峰值电流，能够快速充放电功率器件的栅极电容，从而显著降低开关损耗，提升系统效率。其次，该芯片采用先进的电平移位技术，使高端驱动器可在浮动电源下工作，支持最高达600V的母线电压，适用于多种离线式电源拓扑，如半桥、全桥及推挽结构。其输入逻辑接口兼容TTL和CMOS电平，通常只需3.3V或5V控制信号即可驱动，便于与微控制器、DSP或PWM控制器直接连接，无需额外电平转换电路。
　　另一个重要特性是内置的交叉导通保护（也称为互锁逻辑），可确保在任何情况下高端和低端输出不会同时导通，有效防止因误触发导致的短路故障，增强系统的安全性和可靠性。此外，IR2308STR具有较低的传播延迟和匹配良好的上下管延迟时间，有助于实现精确的时序控制，减少电磁干扰（EMI）。芯片还具备高抗噪能力，其dv/dt耐受性强，即使在高开关速率环境下也能保持稳定工作，避免虚假触发。
　　IR2308STR的工作电源电压范围为10V至20V，推荐使用12V或15V供电，以确保驱动能力与稳定性之间的平衡。其静态功耗极低，典型值仅为230μA，有利于待机模式下的能效优化。器件支持宽温工作范围（-40°C至+125°C），可在恶劣工业环境中可靠运行。SOIC-8封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热性能和电气隔离特性，适合自动化贴片生产。综合来看，IR2308STR以其高集成度、高可靠性与易用性，成为中小功率桥式拓扑驱动方案的理想选择之一。

IR2308STR广泛应用于各类需要半桥或全桥功率级驱动的电力电子系统中。在AC-DC开关电源领域，它常用于离线式反激、LLC谐振变换器或有源钳位拓扑中的同步整流控制或主开关驱动，尤其适用于适配器、充电器、服务器电源和工业电源模块。在DC-DC转换器中，该芯片可用于双向升降压、半桥或全桥拓扑结构，驱动MOSFET实现高效能量转换，常见于通信电源、太阳能微逆变器及车载电源系统。
　　此外，IR2308STR在电机驱动应用中也表现优异，尤其是在小型BLDC（无刷直流电机）或PMSM（永磁同步电机）控制系统中，作为三相逆变器中每相半桥的驱动核心，配合MCU输出的PWM信号，实现精确的电机转矩与速度控制，广泛用于家电（如空调压缩机、洗衣机）、电动工具及风扇控制等领域。照明系统方面，该器件可用于高频电子镇流器或LED驱动电源，特别是在需要高效率和长寿命的商业照明和户外照明解决方案中。
　　由于其高耐压能力和紧凑封装，IR2308STR也适用于空间受限但要求高可靠性的工业控制设备，例如PLC模块、工业传感器电源和小型UPS系统。此外，在新兴的物联网设备和智能电源管理系统中，该芯片凭借其低静态功耗和高集成度，成为实现高效、小型化电源设计的关键组件。总体而言，IR2308STR适用于所有需要高边与低边独立驱动、具备良好抗干扰能力和高效率的中低功率桥式拓扑应用场景。

IRS2308STR
　　IR2108S
　　IR2110
　　UCC27531