类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大反向电压：300V
　　平均整流电流：11A
　　正向压降（@11A,25°C）：约1.75V
　　反向漏电流（@300V,25°C）：最大10μA
　　反向漏电流（@300V,150°C）：最大100μA
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220

SH30113R3Y2B 的一大优势在于其碳化硅材料带来的高性能特性。与传统硅基二极管相比，碳化硅二极管具有更高的热导率、更高的击穿电场强度和更低的导通损耗。该器件的正向压降相对较低，在高电流下仍能保持良好的能效，有助于提高整体系统效率。此外，SH30113R3Y2B 具有极快的开关特性，几乎无反向恢复时间，从而减少了高频应用中的开关损耗，提升了功率转换器的性能。
　　该器件的封装形式为 TO-220，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。其工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +175°C，使其适用于各种恶劣工作环境，如工业控制、新能源汽车、太阳能逆变器和储能系统等。TO-220 封装还具有良好的机械稳定性和安装兼容性，适合多种电路板布局需求。

SH30113R3Y2B 主要应用于高效率功率转换系统中，包括但不限于功率因数校正（PFC）电路、DC-DC 转换器、AC-DC 电源、太阳能逆变器、电动汽车充电模块以及储能系统。其快速恢复特性和低导通压降使其在高频开关电源中表现出色，能够有效减少能量损耗并提高系统整体效率。此外，该器件也适用于高温环境下的工业控制设备和电源管理系统，确保在严苛条件下的稳定运行。

CREE的C3D02060A、Microsemi的MBR3045CT、ON Semiconductor的FCH300N65S3