时间：2025/5/22 9:47:04
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NL17SZ125DFT2G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，由 Nexperia 公司生产。该器件专为高频和高效率应用场景设计，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。
这款 GaN FET 集成了栅极驱动器保护功能，适合用于硬开关和软开关拓扑结构中，例如 DC-DC 转换器、图腾柱 PFC（功率因数校正）、电机驱动器以及其他工业和消费类电源管理应用。
类型：增强型场效应晶体管 (E-Mode HEMT)
材料：氮化镓 (GaN)
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：14A
导通电阻：125mΩ（典型值）
栅极电荷：48nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：LFPAK88
NL17SZ125DFT2G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，能够支持高频操作，从而减小磁性元件尺寸并优化整体解决方案的体积。
3. 高耐压能力，适用于高达 600V 的电路环境，增强了可靠性和安全性。
4. 热性能优越，即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
5. 内置栅极保护机制，防止过压或反向驱动问题。
6. 符合 AEC-Q101 标准，适合汽车级应用。
7. 小型化封装 LFPAK88，便于表面贴装并减少寄生效应。
NL17SZ125DFT2G 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源供应器中的图腾柱 PFC 和 LLC 谐振转换器。
2. 消费电子产品中的快充适配器和无线充电器。
3. 数据中心电源模块及服务器电源。
4. 电动汽车车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器。
5. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 各种高性能电机驱动器控制电路。
NL17SZ120DFT2G, NL17SZ150DFT2G
