MBRD20U100CT是一款由ON Semiconductor生产的双20安培肖特基势垒整流器(SBR),采用TO-220-3封装。该器件专为高电流、低电压降应用设计,适用于电源转换系统、DC-DC转换器以及高效率电源供应器等场景。其双整流器结构允许在同一个封装内实现两个独立的整流功能,从而提高系统集成度并减少元件数量。
最大重复峰值反向电压(VRRM):100 V
最大平均整流电流(IF(AV)):20 A(每个元件)
峰值浪涌电流(IFSM):300 A
最大正向压降(VF):0.45 V(典型值,20A时)
最大反向漏电流(IR):0.1 mA(最大值,100V时)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
存储温度范围:-65°C 至 +175°C
封装类型:TO-220-3
MBRD20U100CT具有优异的电性能和热性能,主要特点包括低正向压降、高浪涌电流承受能力和出色的高温稳定性。其肖特基结构使得该器件在高频开关应用中表现出色,能显著降低开关损耗,提高整体系统效率。此外,该器件的封装设计具备良好的散热能力,有助于在高负载条件下维持稳定运行。
MBRD20U100CT的双整流器设计使其非常适合用于同步整流拓扑结构,例如在DC-DC转换器中替代传统的MOSFET整流方案,从而降低设计复杂度并提高可靠性。其低正向压降特性有助于减少功率损耗,提升能效,同时降低工作温度,延长使用寿命。
该器件还具有良好的抗潮湿和抗腐蚀能力,符合工业级环境适应性要求。MBRD20U100CT广泛用于通信电源、服务器电源、工业电源、电池充电器和太阳能逆变器等高可靠性应用场景。
MBRD20U100CT主要用于高电流、高效率的电源转换系统中,例如:通信设备的电源模块、服务器电源供应器、工业自动化设备的电源系统、电池充电器、DC-DC转换器、太阳能逆变器以及UPS不间断电源系统等。由于其低正向压降和高电流处理能力,它也常用于需要高效整流和低损耗功率转换的场合。
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