时间：2025/9/14 16:44:07
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PBHV9560Z,115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高压、高侧N沟道MOSFET栅极驱动器集成电路。该芯片专为需要高电压操作和高可靠性的应用设计，能够驱动高侧N沟道MOSFET或IGBT，适用于如DC-DC转换器、H桥驱动器、电机控制和电源管理系统等工业和汽车电子应用。
电源电压范围：7V 至 100V
输出驱动电压：最高可达100V
输入逻辑电压范围：3.3V 至 12V
最大输出电流：典型值200mA
导通延迟时间：约200ns
关断延迟时间：约180ns
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装类型：SO14（表面贴装）
PBHV9560Z,115具备多个关键特性，使其在高压和高可靠性应用中表现出色。首先，其高侧驱动能力可达100V，允许在高压电路中直接使用N沟道MOSFET，从而提高效率并降低成本。该器件采用高压浮置技术，确保了在高电压环境下的稳定性和可靠性。
其次，该驱动器具有较宽的输入逻辑电压范围（3.3V至12V），使其能够与多种微控制器和逻辑电路兼容。此外，其内置的欠压锁定（UVLO）功能可防止在低电压条件下误操作，从而保护功率器件免受损坏。
芯片还具备快速的导通和关断延迟时间（分别约为200ns和180ns），有助于减少开关损耗，提高系统效率。同时，其输出驱动电流能力较强，典型值为200mA，可有效驱动大功率MOSFET或IGBT。
另外，PBHV9560Z,115的工作温度范围为-40°C至+150°C，适用于工业级和汽车级环境。其采用的SO14封装形式便于PCB布局，并具有良好的热性能。
PBHV9560Z,115广泛应用于需要高侧驱动能力的场合。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、H桥电机驱动器、逆变器以及电源管理系统。此外，由于其高可靠性和宽工作温度范围，该芯片也常用于汽车电子系统、工业自动化控制设备和智能电网相关产品中。
Si8220EDB-C-ISR, ADuM7234BRZ, IRS21844SPBF
